刻蚀(ETCH)工艺的基础知识4.docxVIP

刻蚀（ETCH）工艺的基础知识f4 } y# [7 N. @4 g　何谓蚀刻(Etch)? 　答：将形成在晶圆表面上的薄膜全部，或特定处所去除至必要厚度的制程。 　蚀刻种类: 　答：(1) 干蚀刻(2) 湿蚀刻 　蚀刻对象依薄膜种类可分为: 　答：poly,oxide, metal 　半导体中一般金属导线材质为何? 　答：鵭线(W)/铝线(Al)/铜线(Cu) 8 n5 i! \; k5 ] f??|　何谓 dielectric 蚀刻(介电质蚀刻)? 　答：Oxide etch and nitride etch 　半导体中一般介电质材质为何? 　答：氧化硅/氮化硅 　何谓湿式蚀刻 　答：利用液相的酸液或溶剂;将不要的薄膜去除 4 E% e8 p3 A8 q6 F5 U　何谓电浆 Plasma? 　答：电浆是物质的第四状态.带有正,负电荷及中性粒子之总和;其中包含电子,正离子,负离子,中性分子,活性基及发散光子等,产生电浆的方法可使用高温或高电压. 　何谓干式蚀刻? 　答：利用plasma将不要的薄膜去除 　何谓Under-etching(蚀刻不足)? $ a$ o2 k; j9 F; N　答：系指被蚀刻材料，在被蚀刻途中停止造成应被去除的薄膜仍有残留 6 m9 d- c! W! `. `6 ? D) ?0 h; l　何谓Over-etching(过蚀刻 ) 　答：蚀刻过多造成底层被