第04章_光伏探测器（重贴).pptVIP

作业：pages125-127 4,5,8,11,15 第四题提示：发射端功率10mW，光传输到接收端的损耗为30db。那么，接收端功率为10-5W。 4.4.3反向偏置电路 反向偏置电路特点： －－灵敏度、频带宽度和光电变换线性范围 4.4 光伏探测器的偏置电路 反向偏置电路 为了分析问题方便，将第三象限特性曲线旋转到第一象限 4.4.3反向偏置电路 1.基本反向偏置电路 4.4.3反向偏置电路 电路图： （1）回路方程与IV曲线： U(I)为光电二极管的端电压 Ub为偏置电压 负载电阻上的输出信号： 4.4.3反向偏置电路 线性工作区、功耗线 ： 负载电阻的影响 偏置电压的影响 （2）如何选择负载电阻RL和偏置电压Ub ： 方法： －－标出拐点M －－功耗限制 4.4.3反向偏置电路 --图解分析方法： 直观、方便，适应于检测恒定或缓慢变化的入射光信号的直流电路，特别适应大信号状态下的电路分析。至于检测高频小功率光信号或者检测极微弱光信号的电路分析方法将在第十章介绍。 2.反偏光电二极管的跨阻抗放大电路 电路图： (1)输出电压： Uo= ?IpRf 反偏光电二极管 4.4.3反向偏置电路 (2)电路特点： －－具有极小的负载电阻（ri），不易出现信号失真 －－有运放放大作用，能输出较大的电压信号 与基本反向偏置电路相比： 4.4.3反向偏置电路 (2)电路特点： 与零伏偏置电路相比： －－具有较高的反向工作偏压（Ub） －－光电二极管结电容较小 ，响应速度快 －－有较大线性响应动态范围 4.4.3反向偏置电路 (3)电路应用： 已研制一种采用PIN光电二极管和输入级为场效应管（FET）的跨阻抗放大电路组合件，即PIN-FET微型组件。这种组件具有频率响应宽、信噪比高、输出阻抗低和可靠性高等特点，被广泛应用于光纤通信、激光雷达、激光测距和光纤分布式测温等系统。 4.4.3反向偏置电路 3.雪崩光电二极管的反向偏置电路（略） 见雪崩二极管的介绍 温度范围（－40°C～70°C）内自动稳定偏压 4.4.3反向偏置电路 反向偏置电路 自偏置电路 零伏偏置电路 4.4 光伏探测器的偏置电路 总 结： 各区域的几种典型工作电路及特点 分4个区，介绍3个区 两种零偏电路实例 普通反向偏置 跨阻抗放大电路 总结 4.1 工作原理与特性 总结 4.1.1 光照下PN结电流方程及伏安特性 （1）电流方程与伏安曲线图 （2）微变等效电路 4.1.2 开路电压与短路电流 推导如何得到开路电压和短路电流 开路电压和短路电流在IV线上的位置 4.1.3 暗电流和温度特性（简单了解） 4.1.4 噪声、信噪比和噪声等效功率（了解） NEP的公式，强调NEP计算时仅取暗电流对散粒噪声的贡献。 4.1.5 光谱特性（了解） 本征吸收！ 4.1.6 响应时间和频率特性（5分钟） （1）响应时间的组成与量级 （2）频率特性；仅考虑电路时间常数 4.2 常用光伏探测器 总结 4.2.1 硅光电池 ：分为太阳能电池和线性测量两种用途 （1）光电特性：在一张图上推导几种关系 ①由IV曲线推导光照-电流电压特性 ②由IV曲线推导负载电阻与光照关系：线性测量时的负载选择问题，说明温度也会影响线性测量 ③强调电池作为换能时负载的选择与效率数值 （2）频率特性 说明频率受负载影响；结面积大，响应时间稍长 4.2.2 硅光电二极管 （1）结构：有两条芯脚，或者三条芯脚 （2）光电特性 从光电二极管的IV特性得到硅光电二极管的I-E特性 4.2.3 硅光电三极管 （1）结构与原理：由光电转换+光电流放大；为什么有2条和3条芯脚 （2）光电特性：由IV特性求得I-E曲线 4.2 常用光伏探测器 总结 4.2.4 PIN光电二极管 （1）PIN的结构与特点 （2）频率响应、暗电流、输出光电流特性 与硅光电二极管比较上述特点 4.2.5 雪崩光电二极管 （1）工作原理 （2）M与工作电压的关系，以及工作电压的选择： 稳压在接近击穿电压，不超过 （3）工作电路：稳压与恒温 综合内容：NEP、输出光电流、响应时间的特性比较。 4.3 组合器件 4.3.1 半导体色敏感器件 （1）原理 （2）检测电路 4.3.2 阵列式光电器件（简单了解） 4.3.3 象限式光电器件 （1）四象限器的原理 （2）四象限器的应用实例 4.3.4 PSD （1）一维PSD的原理 （2）二维PSD 4.3.5 光电耦合器件 掌握基本结构 了解应用电路 总结 本章小结 1．光伏探测器：光电池、光电二极管(PD)、PIN光电二极 管(PIN PD)、雪崩光电二极管（APD）和光电三极管等 2．光伏探测器工作模式：光电导和光伏模式