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大型清洗设备在硅材料行业的应用 硅材料发展的条件 硅材料的工艺及设备 硅材料清洗设备的研制 七星华创太阳能设备简介 一、硅材料发展的条件 (1) 2005-2010年全球太阳能电池产量统计与预测 ： 一、硅材料发展的条件 (2) 主要公司多晶硅的产能： 一、硅材料发展的条件 (3) 全球多晶硅的需求： 一、硅材料发展的条件 (1) 2007年太阳能产品供应链各个环节的平均价格 : 一、硅材料发展的条件 (2 近几年硅材料价格的变化趋势 : 一、硅材料发展的条件 限制中国太阳能发展的瓶颈 : 太阳能电池板的价格都在￥35.00/w以上，国民难以接受。 欧洲、日本、美国等国家及地区，他们的对太阳能电池板的需求量在不断的增加 。 我国太阳能级硅的提炼的技术落后于一些发达国家，使得我国生产的太阳能级的硅片的利用率小于国际上的同类硅片，这也影响了国内太阳能行业的普及 。 一、硅材料发展的条件 (2) 出口和进口 : 我国具有丰富的硅石资源和廉价的工业硅产品（2005年出口近70万吨，占世界市场的70%），目前我国的工业硅产能、产量和出口量均居世界首位. 我国太阳级硅材料却严重短缺，其中95%必须从国外高价进口。 进出口形成了明显的“低出高进”的严重反差,大量金钱被国外赚去. 二、硅材料的工艺及设备 （1）、改良西门子法——闭环式三氯氢硅氢还原法  改良西门子法是用氯和氢合成氯化氢（或外购氯化氢），氯化氢和工业硅粉在一定的温度下合成三氯氢硅，然后对三氯氢硅进行分离精馏提纯，提纯后的三氯氢硅在氢还原炉内进行CVD反应生产高纯多晶硅。  国内外现有的多晶硅厂绝大部分采用此法生产电子级与太阳能级多晶硅。 二、硅材料的工艺及设备 （2）、硅烷法——硅烷热分解法  硅烷（SiH4）是以四氯化硅氢化法、硅合金分解法、氢化物还原法、硅的直接氢化法等方法制取。然后将制得的硅烷气提纯后在热分解炉生产纯度较高的棒状多晶硅。以前只有日本小松掌握此技术，由于发生过严重的爆炸事故后，没有继续扩大生产。但美国Asimi和SGS公司仍采用硅烷气热分解生产纯度较高的电子级多晶硅产品。  二、硅材料的工艺及设备 （3）、流化床法  以四氯化硅、氢气、氯化氢和工业硅为原料在流化床内（沸腾床）高温高压下生成三氯氢硅，将三氯氢硅再进一步歧化加氢反应生成二氯二氢硅，继而生成硅烷气。 制得的硅烷气通入加有小颗粒硅粉的流化床反应炉内进行连续热分解反应，生成粒状多晶硅产品。此法生产效率高，电耗低与成本低，缺点是安全性差，危险性大。其次是产品纯度不高，但基本能满足太阳能电池生产的使用。 目前世界上只有美国MEMC公司采用此法生产粒状多晶硅。此法比较适合生产价廉的太阳能级多晶硅。 二、硅材料的工艺及设备 （4）、太阳能级多晶硅新工艺技术 除了上述改良西门子法、硅烷热分解法、流化床反应炉法三种方法生产电子级与太阳能级多晶硅以外，还涌现出几种专门生产太阳能级多晶硅新工艺技术。 1）冶金法生产太阳能级多晶硅（日本川崎制铁公司采用） 2）气液沉积法生产粒状太阳能级多晶硅 （日本Tokuyama公司） 3）重掺硅废料提纯法生产太阳能级多晶硅 （美国Crystal Systems） 二、硅材料的工艺及设备 以改良西门子工艺法为例，所用主要设备有： 三氯氢硅沸腾床加压合成炉； 三氯氢硅水解凝胶处理系统； 三氯氢硅粗馏； 精馏塔提纯系统； 还原炉； 多晶硅芯、多晶硅棒清洗机； 多晶硅块清洗机； 自动供/补酸系统等。 三、硅材料清洗设备的研制 （1）系统外形图： 三、硅材料清洗设备的研制 （2）设备性能指标： 设备外形尺寸：3930mmX2760mmX2770mm（长X宽X高） 被清洗工件外形尺寸： 硅棒：φ65~100X(400~2000mm) 硅芯料：φ45X(250~350mm) 硅芯：φ10X(2300~2800mm) 产能：30根硅芯/40分钟或1根硅棒/40分钟（以实际工艺时间为准） 动力要求： 电源： 三相五线 380V 24KW 去离子水： （间断用）100升/分钟，压力2~3Kg/cm2 冷却水： （间断用）40升/分钟，压力2~3Kg/cm2 高压空气： 230标准升/分钟，压力6Kg/cm2 高纯氮气： 200标准升/分钟，压力3Kg/cm2 排风： 3000m3/小时 三、硅材料清洗设备的研制 （3）设备的特点： 1、全自动清洗，实现被清洗对象干进—干出； 2、自动供/补酸等； 3、氮气风刀干燥； 4、软件部分：内置20条全开放式工