半导体物理学 - 6.pptVIP

表面感生电荷层 Surface Layer with Induced charge 耗尽情形Situation for Deplation 反型情形Situation for Inversion MIS 电容MIS Capacitor 理想 MIS 结构的 C-V 特性 积累情形 耗尽情形 强反型情形 平带电容和德拜长度 实际 MIS 结构的 C-V 特性 功函数差异的影响 氧化层中电荷的影响 Si — Si02 系统中电荷的实验研究 界面态及其电容效应Interface States and It’s Capacitance Effects 界面态的来源 表面电导和场效应Surface Conductance and Field Effect 表面电导 场效应 沟道迁移率Channel Mobility Semiconductor Physics Chapter 6 可动正电荷多为 Si02 中的碱金属离子，最常见的是钠离子。 由于钠离子的可动性，导致器件性能发生退化，在平面工艺发展初期，曾造成很大危害。 Semiconductor Physics Chapter 6 Si02中还存在陷阱，由辐射产生的载流子或因热电子效应由半导体进入氧化层的载流子都能被陷阱俘获而构成氧化层中的电荷。 Semiconductor Physics Chapter 6 C-V 测量可以了解可动离子的存在及它们的数量。 150℃~200℃ 升温条件下，对 MIS 结构加偏压，称温度偏压处理或 BT 处理。 Semiconductor Physics Chapter 6 MIS 结构加负偏压，可把 Si02 中的可动钠离子驱至金属和 Si02 界面； 施加正偏压，则可将可动离子驱至 Si02 - Si 界面。 Semiconductor Physics Chapter 6 - 40 - 50 -30 -20 -10 0 10 U (V) 负偏 0.7 0.8 C / Ci 0.9 1.0 正偏 Semiconductor Physics Chapter 6 两次温偏处理后分别测量得的 C - V 特性可确定 U(1)FB 和 U(2)FB 。 Semiconductor Physics Chapter 6 按下式求得 Qox： 若已知 Ubias 也可由 U(1)FB 求出 Qf 。 Semiconductor Physics Chapter 6 在 HCl 等含 Cl 化合物的气氛中进行 Si 氧化，可显著降低 Si02 中钠离子和界面附近固定正电荷的数量，从而显著改善 Si02 - Si 系统的质量。 Semiconductor Physics Chapter 6 Semiconductor Physics Chapter 6 US ＜ 2UF 时，反型层中的电荷随 US 的变化很小，其电容效应可以略去； US ＞ 2UF 时，反型层中电荷随 US 迅速增加，电容值也迅速增加并远大于耗尽层电容。 Semiconductor Physics Chapter 6 这两个电容的重要区别是，耗尽层电容的充、放电在耗尽层的边缘进行，反型层电容则要通过耗尽层中的产生和复合进行充、放电。 Semiconductor Physics Chapter 6 可以证明向反型沟道充电的电流 J 正比于 uS 。 耗尽层的作用可等效于电阻 rg Semiconductor Physics Chapter 6 因此， MIS 结构的电容效应可用图示等效电路来描述： Ci CI CD rg Ci rg CD Semiconductor Physics Chapter 6 - 0.2 - 0.4 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 US (V) 10 -9 10 -8 10 -7 10 -6 10 -5 10 -4 QS (C) 积累 强反型 UF 2UF 耗尽 弱反型 平带 P 型硅（300K） NA = 4×10 13 cm -3 p 型 Si 表面层电荷面密度随表面势的变化情况 Semiconductor Physics Chapter 6 上面关于 MIS 电容的分析我们假定绝缘层中和界面处不存在电荷，故栅电压 U＝0 时半导体能带平直。 实际情况并非如此简单。 Semiconductor Physics Chapter 6 金属和半导体的功函数定义为真空静止电子能量 E0 和费米能级 EF 之差、 如图所示。