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第三章 FET-2
* * VOX表示在栅氧化层上的压降； ψS为表面势，作用在半导体表面，使表面能带弯曲。 呈现强反型的条件： 其中，COX为栅氧化层单位面积电容量； εOX为SiO2的介电常数， τOX是栅氧化层厚度。 其中，ψB=（Ei-EF）（半导体体内）/q，称为费米势。 S D G VGS + VOX + - ID y + - V(y) VDS + ψs(y) + - （1）线性区： （2）非饱和区： （3）饱和区：特性曲线近似平坦的区域 平方律曲线 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 MOSFET EMOS DMOS 四、P沟道EMOS场效应管 增强型（enhancement）或常关型（normally-off） 3.1.2 耗尽型MOS（DMOS）场效应管 耗尽型（depletion）或常开型（normally-on） 0≤ 0≥ 集成工艺 3.1.4 小信号电路模型 条件： 1、源和衬底相连，接地。 2、器件工作在饱和区。 3、交流量足够小。 若有衬底电压，且其间存在交流量，即： 工程上近似为： 式中，η为常数， 一般为0.1～0.2 3.2 结型场效应管 3.2.1 工作原理：
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