第九章半导体存储器-1.pptVIP

第九章 半导体存储器 一、半导体存储器概念： 随着微电子技术的提高,大规模集成电路(LSI)发展很快,近年来集成电路几乎以每年提高一倍的速度向前发展。 存储器是电子计算机及数字系统中不可缺少的部分，用来存放二进制代码表示的数据?系统指令?资料及运算程序等。 二、存储器的主要指标 存储容量 和 工作速度 1. 存储容量 存储容量是衡量工作能力大小的指标,容量越大,存储的信息越多,工作能力越强。 存储容量用存储单元的总数表示。习惯上常用若干个“K”单元表示。例如： 210=1024 称 1K单元 ， 212=4096 称 4K单元。 在数字系统中，数据和指令通常用一定位数的字来表示，字的位数称为字长。故存储容量为： n字（字位） × m位（位）。 例如：1024字 × 8位 ?可写为“1K字×8位”，这说明它能存放1024个8位的数据。 2.存取速度(工作速度) ★存取速度用存取周期表示。 从存储器开始存取第一个字到能够存取第二个字为止。所需的时间称为存取时间或存取周期。它是衡量存储器存取速度的重要指标。 ★存取周期越短，说明存取速度越高。 双极型存储器的存取周期为：20 ～ 50 ns， MOS存储器的存取周期为：100 ～300 ns。 三?存储器的分类 分类方法有两种：功能分类和工艺分类。 1. 按功能分类 2. 按工艺分类 电荷偶合器件（CCD）：是一种新型存储器件，其制造工艺简单，集成度比MOS更高，工作速度与MOS型相当。 9.1只读存储器 (ROM : Read Only Memory) ROM:只能读出存储器中已有的信息,而不能随时对它写入新的信息的那一类存储器。简称为:ROM。 ROM的特点：数据写入后，即使在切断电源后，信息也不会丢失。所以，只读存储器常用于存放常数?固定函数?固定程序等固定不变信息。 一?ROM的分类 1. 按写入方式分类 (1) 固定ROM (2)PROM(可一次编程ROM) (3)EPROM(可反复擦除?可编程ROM) 2. 按器件分类 (1) 二极管ROM (2) 双极型ROM (3) 单极型ROM 二?ROM的结构 ROM的结构由三部分组成: 地址译码器、存储单元矩阵、输出电路 三?工作原理 结论：存1，字线W和位线b间接二极管； 四?ROM的逻辑关系 1.属于组合逻辑电路 译码器部分的输出变量和输入变量（包括原变量和反变量）构成“与”的关系。 存储矩阵和输出电路部分的输出变量和存储矩阵的输入变量构成“或”的关系。 2.进行ROM电路的分析和设计，常用阵列图来表示ROM的结构。 五、ROM的应用 1.实现组合逻辑函数 例9.1.1 试用ROM实现如下组合逻辑函数 例9.1.2 试用ROM设计一个8421 BCD码7段显示译码器电路，其真值表如表9.1.2所示。 解：由真值表可见，应取用输入地址为4位，输出数据为7位的10 字节×7位ROM。 2.字符发生器 例如：显示的字符以光点的形式存储在ROM中，每个字符由7×5点阵组成。并显示“T”。 六、固定ROM 固定ROM又称掩膜ROM，这种固定ROM在制造时，由用户向厂家提供清单，规定出每个存储位的逻辑状态，作为厂家制作的依据，达到用户要求。用户拿到ROM后不能更改内部的任何信息。 七、可编程只读存储器(PROM) 提供给用户自行编程的可能性,又称为现场可编程只读存储器。 1. 结构 八、可改写可编程只读存储器(EPROM) 1.UVEPROM (紫外线擦除) 2. E2PROM(电可改写的ROM) (1)结构 E2PROM采用浮栅隧道氧化层MOS管。它有两个栅极：控制栅GC 和 浮置栅Gf。 特点：浮置栅与漏区之间有一个氧化层极薄的隧道区，其厚度仅为10～15μm , 可产生隧道效应。写入、擦除：利用隧道效应。 九、快闪存储器(Flash Memory) 集中了UVEPROM和E2PROM的优点。 1. 结构 存储单元只用一个单管构成。类似于EPROM结构，但两者区别于浮栅与衬底间氧化层的厚度不同。EPROM中的氧化层的厚度一般为30 ～40 μm，快闪存储器中仅为10 ～15μm。 * ROM 固定ROM:内容由厂家制作。ROM 可编程ROM：可一次性编程。PROM 可擦除可编程ROM：可多次改写 EPROM RAM 双极型 RAM 单极型 （M