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第七章 常用半导体元件 第一节 半导体二极管 第二节 半导体三极管 第三节 MOS型场效应晶体管 第一节 半导体二极管 第二节 晶体三极管 第三节 MOS型场效应晶体管 1、场效应晶体管是电压控制型器件。又称单极型晶体三极管 2、分类：结型场效应管、绝缘栅场效应管（MOS） 3、原理：利用栅极电压控制漏极电流，实质上就是控制导电沟道电阻的大小。 * * 返回 作业 （一）什么是半导体 物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体、半导体三大类。 1、导体：容易导电的物质为导体，如铜、铝等金属。 2、绝缘体：能够可靠地绝缘电流的物质为绝缘体，如橡胶、陶瓷。 一、半导体基本知识 （二）半导体材料的特性： 半导体的导电能力受光和热影响 T°↑ 导电能力↑ 光照↑导电能力 ↑ 纯净的半导体掺入杂质导电性会大大增强。 3、半导体：导电能力介于导体与绝缘体之间的物质为半导体，常用半导体材料有硅、锗，是4价元素。 +4 纯净的、具有晶体结构的半导体称为本征半导体。 本征半导体中的载流子 自由电子 (－) 空 穴 （+） 本征半导体 空穴与电子成对出现并可以复合。 （三） 掺杂半导体 N型半导体： 掺五价元素，如磷，自由电子数多于空穴数，自由电子数是多子。 P型半导体 掺三价元素，如硼， 空穴数多于自由电子数，空穴是多子。 二、? 晶体二极管 1. 什么是PN结 ? P152 2. 什么是半导体二极管? 3. 符号: 4. 分类: P152 （一）二极管的结构、符号和分类 + 阳极 阴极 VD （二）二极管的特性 1. PN结的单向导电性 加正向电压（正偏） P（+） N（－） 导通电流很大 ,呈低阻态， 这时的工作状态称为正向导通状态。 加反向电压（反偏）P（－） N（+） 形成反向电流，很小，呈高阻态， 这时的工作状态称为反向截止状态。 PN结正偏，导通；PN结反偏，截止 1、半导体二极管的伏安特性 + P区－－阳极 N区－－阴极 阳极 阴极 1. 正向特性 死区电压 硅管 0.5V 锗管 0.1V 正向导通电压 硅管 0.7V 锗管 0.3V i (mA) u (V) 反向击穿电压 死区 Ge Si 2.? 反向特性 反向饱和电流很小，可视为开路， 反向电压过高，电流急增，二极管发生击穿。 导通电压 VD VD 3、半导体二极管的主要参数 1. 最大整流电流 IF 二极管长期工作时允许通过的最大正向平均电流。 2. 最高反向工作电压 URM 二极管在使用时允许加的最大反向电压。 3. 反向漏电流 IR 在规定的反向电压和环境温度下测得的二极管反向电流值。 （三）二极管的检测 万用表演示 三 、 特殊二极管 （一）稳压管：P154 稳压管的工作条件 （１）必须工作在反向击穿状态 （２）电路中应有限流电阻，以保证反向电流不超过允许范围。 稳压管是一种特殊的二极管，具有稳定电压的作用。 稳压管工作于反向击穿区。 特点：电流变化大，电压变化小。 1、稳压原理 稳压管：１）加正向电压时同二极管 ２）加反向电压时使其击穿后稳压 i (mA) u (V) 反向击穿电压 Dz １．稳定电压UZ 正常工作下，稳压管两端电压。 同一型号的稳压管分散性较大。 ２．稳定电流 IZ 正常工作下的参考电流。 大小由限流电阻决定。 2、稳压管参数 （二）光电二极管 （三）发光二极管 一、晶体管结构、符号和类型 1、半导体三极管是由两个PN结构成的三端半导体元件，简称三极管。 2、文字符号：VT P156 基区 集电区 发射区 基极 集电极 发射极 集电结 发射结 NPN型 VT PNP型 1、发射区参杂浓度要远远大于基区，以便有足够的载流子供发射。 2、基区薄且浓度低，以减少复合机会，使载流子易通过。 3、集电结面积比发射结要大，利于收集载流子。 VT 特点： 二、晶体管的放大作用和电流分配关系 （一）、电流放大作用 其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。 外部条件： 发射结正偏，集电结反偏