azo纳米阵列薄膜制备及其电子辐照效应分析word格式论文.docxVIP

摘要透明导电氧化物薄膜是一种常见的功能材料，被广泛地应用于太阳能电池、平板显示以及其他光电器件中。目前，有关铝掺杂的氧化锌（AZO）薄膜成为了研究的热点。本文利用射频磁控溅射技术和低温水热法在玻璃基底上制备AZO纳米阵列薄膜，并采用扫描电镜、X射线衍射分析、双电测四探针测试仪、紫外-可见光分光光度计等分析测试手段研究了主要工艺参数对AZO薄膜的影响，并初步探讨了AZO薄膜在电子辐照作用下的损伤效应。采用射频磁控溅射法制备出了具有c轴择优取向的致密的AZO薄膜，并研究溅射功率和溅射气压对AZO薄膜的影响。结果表明，在溅射功率为200W、溅射气压为0.1Pa的条件下制备出的AZO薄膜具有较好的电学和光学性能，其面电阻最低可达到0.65kΩ/□，可见光区平均透过率为80.4%。利用低温水热法在具有AZO 缓冲层的玻璃基底上生长出了具有c轴择优取向的六方纤锌矿结构的AZO纳米阵列薄膜。研究不同Al3+离子掺杂浓度对AZO薄膜的影响规律，发现Al3+离子掺杂浓度为3%的薄膜具有均匀的纳米棒阵列，且具有最低的面电阻和较高的透过率，面电阻最低可达到9.86kΩ/□，透过率达到80%以上。研究了水热反应时间对AZO 纳米阵列薄膜的影响，结果表明AZO纳米棒的尺寸随着水热反应时间的延长而增大，且纳米棒均匀程度变差，AZO纳米阵列薄膜的面电阻随反应时间延长有小幅度下降，而其可见光区的透过率则会有显著下降。本文采用能量为60keV的电子对AZO薄膜样品进行电子辐照试验，初步研究电子辐照对AZO薄膜的影响规律。研究结果表明，当电子辐照注量较小时，AZO 薄膜的面电阻均会随辐照注量的增加而减小；当电子辐照注量较高时，薄膜的面电阻增大；电子辐照会使AZO薄膜的透过率有小幅度的降低。关键词：AZO薄膜；磁控溅射；水热合成；纳米阵列；电子辐照AbstractTransparentconductiveoxidefilmshavebecomeoneofthemostimportant functionalmaterials.TCOfilmshavebeenwidelyusedinsolarcells,flat-paneldisplay and otherphotoelectricdevices. At present, Al-doped ZnO(AZO) films havebecomethe focusofresearch.Inthispaper,AZOnano-structurethinfilmswerepreparedbyRF magnetronsputteringtechnologyandlow-temperaturehydrothermalmethod.Thefilms werecharacterizedbyUV-Vislightspectrophotometer,X-raydiffraction,SEM, four-pointprobes.Theeffectsoftheelectronirradiationonthemicrostructureand properties oftheAZOfilms wereinvestigated.TheRFmagnetronsputteringtechnologywasusedtopreparetheAZOfilmswith densesurfaceandhighpreferentialorientationin(002)crystallographicdirection.The effects oftheprocessparameters, such assputteringpowerand pressure,werestudied in thispaper.TheresultsshowedthattheAZOthinfilmswithexcellentelectricaland opticalpropertiesweredepositedwhensputteringpoweris200Wandthesputtering pressureis0.1Pa.Thelowestsurfaceresistanceis0.65kΩ/□,anditsaveragevisible lighttransmittanceofthefilmsis80.4%.TheAZOnano-structurefilmswereprepared ontheseedlayer by low-temperaturehydrothermalmethod.TheAZOfilmswith nano-structure also havehigh preferential orientation in (002) crystallographicdirec