bi催化生长 掺杂和修饰zno纳米线的制备及光学性质分析word格式论文.docxVIP

1绪论1.1 引言21 世纪是新材料和先进制造技术迅速发展和广泛应用的时代。富有挑战性的 21 世纪把人们带进了一个关键的历史时期，一场以节省资源和能源、保护生态环境的新 的工业革命正在兴起。正像 20 世纪 70 年代微米技术一样，纳米科学技术必将成为 21 世纪主导技术[1]。1.2 纳米材料的概述纳米是一个尺度概念，一纳米等于十亿分之一米。而所谓的纳米结构则是指在材 料的三维尺度空间中，至少有一维处于纳米尺度范围内。纳米材料的尺寸非常小，一 般仅为 1nm 到 100nm，这个长度可以与电子的德布罗意波长相比拟，所以纳米材料表 现出很多不同于一般宏观材料的特殊性质[2]，比如小尺寸效应[3]、表面效应、量子尺寸 效应[4]、量子隧道效应[5]等。1.3 ZnO 纳米材料的研究现状与进展ZnO 的基本结构与性质ZnO 的晶体结构有三种：六边纤锌矿结构、立方闪锌矿结构，以及比较罕见的氯 化钠式八面体结构。通常情况下，其结晶态为单一的稳定的，六方纤锌矿结构如图 1-1 所示。晶格常数为 a=0.32495nm，c=0.52069nm。图 1-1 六方晶纤锌矿结构ZnO 是一种宽禁带直接带隙Ⅱ-Ⅵ半导体材料，室温下的禁带宽度为 3.37ev，相比其它传统半导体材料如 Si、GaAs、GaN 等，有以下三大优点：较高的激子束缚能；较 大的击穿强度和饱和电子迁移率；较强的抗辐射损伤能力。ZnO 纳米材料的制备ZnO 纳米材料的制备方法非常多，按照材料的制备环境是在气体中还是液体中， 一般可以分为气相法和液相法两大类。以下是几种目前主要应用的制备方法：（1） 热蒸发合成法 热蒸发合成法是目前较为常用的一种材料生长的方法。采用这种方法，如图 1-2所示目前已成功制备了具有各种形貌特征的 ZnO 纳米线和纳米带等材料[6]。图 1-2 各种形貌特征的 ZnO 纳米材料这种方法通常是在高温区，利用高温加热使原材料温度上升而升华为蒸汽，同时 通入一定量的载气，利用载气把蒸汽吹到温度较低的冷端，随后气相物质在特定的温 度区沉积下来并催化剂的作用下成核长大，从而得到各种 ZnO 纳米结构。实验中的 原料配比、目标温度、收集区域、催化剂种类、压强大小和载气流量均会对 ZnO 纳米材料的形貌和结构产生影响。（2）金属有机物化学气相沉积法 用金属有机化合物化学气相沉积（MOCVD）技术，生长纳米材料，一个比较显著的优点是可以通过这种技术实现一维材料的阵列化。通过选择合适的催化剂和衬底材 料，以及合适的载气流量和气压等条件，可以让一维纳米材料垂直于衬底生长以实现 材料的阵列化，从而为以后纳米器件的开发和应用打下良好的基础。但由于仪器价格 昂贵，因此一定程度上现在了这种方法的推广和发展。（3）模板辅助生长法 模板辅助生长法的主要原理，是利用有中空通道的模板来限制材料的生长方向，这些通道整齐排布方向一致，从而让材料沿着所需要的方向生长。由于模板法具有材 料普遍、制作方法简单、材料生长有序等特点，因此在过去的 10 年中，模板辅助生长 法被广泛的用来制备一维纳米材料，但生长好后的纳米材料与模板的分离相对麻烦， 限制了纳米器件的后续开发和使用。（4）水热合成法 水热合成法是液相法中使用最普遍的一种，它利用水溶液作反应体系，在特制的密封反应器，如高压釜中进行化学反应，对反应体系加热到或接近于其临界温度，使 反应容器中产生高压，从而进行无机材料的合成与制备ZnO 纳米材料的掺杂ZnO 半导体材料的一个优点就是可控掺杂，掺杂可以改变 ZnO 半导体在电学、光 学、磁学等方面的多种性能。只有掺杂过的 ZnO 半导体，才能在 IC 工业中得到有效 应用，才可以用于制备各种器件，所以纳米 ZnO 材料的掺杂方法和工艺也越来越受到 人们的关注。按照物质的初始状态，ZnO 掺杂的制备方法可分为固相法和气相法两类。 固相法以固态的 ZnO 粉末为原料，首先通过一定方法，把需要掺杂金属分散在 ZnO粉末当中，然后进行高温煅烧，并通入还原性气体，煅烧结束后可以得到掺杂的 ZnO 纳米粉体。固相法流程简单适，用于工业化生产中，但无法保证掺杂物质在 ZnO 粉体 中分散均匀。因此，目前固相法作为科研手段已很少采用。另外一种方法是气相法，气相法在掺杂 ZnO 纳米材料的制备中占有非常重要的地位。这种方法原料可循环使用，降低了成本，所得产品颗粒均匀、纯度较高。应用于众多工业领域。ZnO、Bi2O3 的禁带宽度分别为 3.37eV、2.85eV，两者相差不大，在合成 ZnO 纳米 材料过程中掺入 Bi 元素，形成 Zn1-xBixO，可以调整 ZnO 禁带宽度，进一步改变材料 在光学、电学以及热学等反面的多种性能。Karthikeyan 等通过水热法在室温下制备了 Bi 掺杂的 ZnO