dmos抗辐射关键技术及新结构器件的分析word格式论文.docxVIP

目录第一章引言11.1 概况11.2 国内外发展动态21.3 本文的主要工作5第二章PSOI VDMOS器件基本原理72.1 半导体辐射理论72.1.1 辐照环境72.1.2 辐照效应82.1.3 损伤机制92.1.4 MOS器件的辐照理论92.1.5 抗辐照技术13PSOI VDMOS器件基本结构15VDMOS简介15SOI简介202.2.2 两种新结构的提出222.3 本章小结23第三章PSOI VDMOS器件优化设计243.1基本参数设计流程243.1.1 耐压导通电阻基本指标设计253.1.2 抗总剂量辐照指标设计253.1.3结终端设计263.2 I层设计参数确定273.2.1耐压解析模型273.2.2 导通电阻解析模型363.3 本章小结42第四章PSOI VDMOS器件特性研究444.1 器件辐照特性研究444.1.1 单粒子辐照研究444.1.2 瞬态辐照研究494.1.3 总剂量辐照研究514.2 其他特性研究524.2.1耐压提高524.2.1避免SOI自热效应534.2.2频率特性改善534.3 本章小结54第五章版图设计、工艺流程及测试方案555.1 器件版图设计555.2 器件工艺设计565.3测试方案设计565.4 本章小结59第六章结论60致谢62参考文献63攻硕期间取得的研究成果67个人简介68第一章引言1.1概况电力电子系统是空间电子系统和核电子系统的心脏，功率电子技术是所有电力电子系统的基础。VDMOS是功率电子系统的重要元器件，它为电子设备提供所需形式的电源和为电机设备提供驱动。几乎一切电子设备和电机设备都需用到功率VDMOS器件[1-4]。VDMOS器件具有不能被横向导电器件所替代的优良性能，包括高耐压、低导通电阻、大功率、可靠性等。随着航空航天技术和核技术的快速发展，如何提高功率电子的抗辐照能力具有至关重要的作用，功率辐照技术是航空航天及核领域应用研究的重点[5]。运行在空间的各类人造卫星、航天器会受到地球带电粒子、太阳宇宙射线等各种辐射,并造成不同程度的损伤。另外, 除天然辐射环境外，核武器爆炸也会对各种电子系统及元器件构成严重威胁。VDMOS 受总剂量辐照后性能的变化主要表现在：阈值电压VT的漂移；跨导Gm的下降；击穿电压的变化等。受中子的辐照后，主要引起导通电阻Ron增加，而增加的程度与漏源击穿电压BVDS有关。此外，空间辐射环境中的高能质子、中子、α 粒子、重离子等还会导致航天器电子系统中的半导体器件发生单粒子效应(Single EventEffect)，严重影响航天器的可靠性和寿命。单粒子具有空间分布广，能谱范围宽，受太阳活动影响大的特点，对星载器件尤其是微电路和功率器件存在着严重影响。多年来, 单粒子效应的研究得到了广泛的重视并一直侧重在VLSI 的单粒子翻转(SingleEventUpset)和CMOS 器件的单粒子闭锁(Single Event Latch)效应的分析与加固技术上。据美国40颗卫星资料统计，异常记录中的70% 是由空间辐射效应引起的，而单粒子事件占了39%。另外，1971 年至1986年国外发射的39颗同步卫星，由单粒子效应造成的故障占辐射总故障的55%。随着半导体技术的迅猛发展，航天器用半导体器件的集成度不断提高，器件的特征尺寸越来越小，单粒子效应越来越严重[6]。为避免在未来战争中遭受敌方毁灭性的打击，提高武器系统和卫星等航天器的抗辐射能力早已被提上议事日程，当今世界上许多国家都在致力于抗核加固技术的研究。微电子器件的抗辐射加固技术是辐射环境下电子系统或装置可靠工作的保障。功率电子器件的抗辐照加固，主要针对功率电子器件的应用场合和辐照环境的辐照因素及强度，从器件的制作材料、电路设计、器件结构、制作工艺等方面加以考虑。抗辐照加固技术比常规微电子技术难度大得多，也是恶劣军事环境和航空航天电子系统应用微电子器件的关键技术[7]。1.2国内外发展动态由于该研究课题的特殊性和军事价值，各国公开报导的研究现状和成果并不多见。美国从上个世纪60、70 年代便开始了对微电子器件辐照效应的研究。耐冲击与振动, 是一般微电子器件的基本可靠性要求，而在恶劣环境中工作的微电子器件，对耐冲击和振动的能力要求更高。美国抗辐射加固微电子器件的耐冲击和振动的能力是按美国MIL-STD-2883标准进行考核,其中耐冲击的能力要求达到1500G，耐振动的能力要求达到20G。日本抗辐射加固微电子器件的耐冲击能力已达到2500～3000G，耐振动的能力达到40G。美国的抗辐射加固IC的耐冲击和振动能力的最高水平未见报导，但估计其水平不在日本的水平之下。微电子器件是否经受得住冲击和振动，其中最大的影响因素是芯片的引线键合、芯片的金属化及布线的设计等问题。日本采用铝加1% 的硅，并把布