阻抗变换与阻抗匹配精选.pptVIP

　　由式(2-64)可得 (2-65) 回头我们再看看前面 介绍的“多个电阻的热 噪声” 我们知道，并联回路可以等效为Re+jXe(图 2-36(c))，现在 看上述输出噪声谱密度与Re、Xe的关系。 * 展开化简后得 与式(2-65)对比，可得 SUo=4kTRe (2-66) 由式(2-65)与式(2-66)可以得出两个重要的结果。一是对于二端线性电路，其噪声电压或噪声电流谱密度SU、SI可以用等效电阻Re(或Ge)来代替式(2-61)、式(2-62)中的R或G。此结论虽然是从上述具体电路分析中得出，但却是普遍成立的(可以证明)。第二就是电阻热噪声通过线性电路后，一般就不再是白噪声了。这从Re是频率的函数的关系就可以看出，这也是一普遍性的结论。 噪声成了有色噪音,线性电路可以看作为成形滤波器 * 　　根据式(2-65)与式(2-66)可以求出输出端的均方噪声电压为 式中，R0为回路的并联谐振电阻。 功率为功率谱密度在频段的积分 广义失谐 Arctg() * 3) 噪声带宽 　　在电阻热噪声公式(2-59)中，有一带宽因子B，曾说明它是测量此噪声电压均方值的带宽。因为电阻热噪声是均匀频谱的白噪声，因此这一带宽应该理解为一理想滤波器的带宽。实际的测量系统，包括噪声通过的后面的线性系统(如接收机的频带放大系统)都不具有理想的滤波特性。此时输出端的噪声功率或者噪声电压均方值应该按谱密度进行积分计算。计算后可以引入一“噪声带宽”，知道系统的噪声带宽对计算和测量噪声都是很方便的。 对噪声源来说，后接电路即为观测电路 * 　　图 2-35 是一线性系统，其电压传输函数为H(jω)。设输入一电阻热噪声, 均方电压谱为SUi=4kTR，输出均方电压谱为SUo，则输出均方电压 为 设|H(jω)|的最大值为H0，则可定义一等效噪声带宽Bn，令 (2-67) 则等效噪声带宽Bn为 (2-68) * 　　其关系如图 2-37 所示。在上式中，分子为曲线|H(jω)|2下的面积，因此噪声带宽的意义是，使　　和Bn为两边 的矩形面积与曲线下的面积相等。Bn的大小由实际特性|H(jω)|2决定，而与输入噪声无关，一般情况下它不等于实际特性的 3 dB带宽B0.7，只有实际特性接近理想矩形时，两者数值上才接近相等。 图 2-37 线性系统的等效噪声带宽 * 　　现以图 2-36 的单振荡回路为例，计算其等效噪声带宽。设回路为高Q电路，设谐振频率为f0，由前面分析，再考虑到高Q条件，此回路的|H(jω)|2可近似为 式中，Δf为相对于f0的频偏，由此可得等效噪声带宽为 * 　　己知并联回路的 3 dB带宽为B0.7=f0/Q，故 　　对于多级单调谐回路，级数越多，传输特性越接近矩形，Bn越接近于B0.7。对于临界耦合的双调谐回路，Bn=1.11B0.7。 　　对于其它线性系统，如低通滤波器、多级回路或集中滤波器，均可以用同样方法计算等效噪声带宽。 与矩形系数有异曲同工的效果,它也可以用来度量系统(或滤波器)对过渡带 衰减速度的快慢(或接近于理想滤波器的程度). * 2. 晶体三极管的噪音 晶体三极管主要有以下几种噪音源 （1）散粒(散弹)噪音：由于载流子的起伏流动造成的集电极和发射极电流的起伏。 均方电流谱密度：SI ( f )=2qI0. (肖特基公式） I0为发射结的平均电流，q为电子电荷， q =1.6×10-19C。 （2）分配噪音 通过发射结的少数载流子的一部分在基区复合形成基极电流，其余通过集电结形成集电极电流，由于复合的随机性，使通过发射结的载流子分配到基极和集电极的随机变化而造成的。可以看作是电流放大倍数的涨落。 （2-76） * （3）闪烁噪音（又称1/f 噪音） 由于半导体材料及制作工艺水平造成表面清洁处理不好而引起的噪音。 这类噪音与频率近似成反比，因此它只在低频工作时影响才突出，高频工作时可不考虑它的影响。 （4）基区电阻产生的热噪音。由于基区电阻很小，所以在晶体管中，这类噪音一般影响不大。 f1 f2 NF f 0 白噪音区 分配噪音区 闪烁 噪音区 晶体管的噪音特性 * 3. 场效应管的噪音 （1）由栅极内漏电流不规则起伏引起的噪音。这是一种散粒噪音。比较小，一般情况下可以忽略。 （2）沟道内电子不规则热运动所引起的噪音。 这种噪音是场效应管噪音的主要贡献，它取决于跨导的大小。 （3）漏极和源极之间等效电阻的噪音 在漏-删之间，栅极电压控制作用达不到的部分可用等效串联电阻来表示，