fe73.5cu1nb3si13.5b9iir复合材料薄膜制备及其力敏特性研究word格式论文.docx

摘要与硅橡胶基复合材料薄膜相比，丁基橡胶基复合材料薄膜不仅具有良好的耐环境性能，还具有易于封装、拉伸强度高等优点，具有广阔的应用前景。本文以Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶纳米晶粉体为复合相，以丁基橡胶为基体，通过模压成型工艺制备了不同规格的复合材料薄膜。从力敏稳定性和力敏灵敏性两个方面研究了FeCuNbSiB/IIR复合材料薄膜的力敏特性，探讨了加载/卸载速度、粉体含量、测试频率、薄膜厚度和环境温度对力敏特性的影响情况。研究表明，复合材料薄膜在加载/卸载速度v=0.1mm/min时的力敏稳定性最好，0-0.3MPa应力范围内的力敏灵敏度最高。比较不同粉体含量下复合材料薄膜的力敏特性，粉体含量为85wt%的复合材料薄膜的力敏特性优于粉体含量为80wt%的复合材料薄膜；测试频率为1kHz时，复合材料薄膜的应力阻抗效应值SI%和应力阻抗灵敏度值|k|均高于50kHz，说明1kHz下复合材料薄膜的力敏特性优于50kHz；不同厚度下，厚度为200μm复合材料薄膜的力敏特性优于150μm 的复合材料薄膜；复合材料薄膜在39.5℃-80℃温度范围内，随着温度的升高其阻抗值逐渐减小，但其SI%和|k|值逐渐增大，说明温度越高复合材料薄膜的力敏特性越好。优化出了具有最佳力敏特性的复合材料薄膜，即薄膜内粉体粒径为45μm、粉体含量为85wt%、薄膜厚度200μm；薄膜最佳的使用环境为测试频率f=1kHz、加载/卸载速度v=0.1mm/min、环境温度为低于80℃。薄膜在受到压应力作用时，薄膜阻抗电路可以等效为容抗与电阻并联后再与感抗串联电路。FeCuNbSiB/IIR复合材料薄膜力敏稳定性好，在柔性力敏薄膜传感器上具有应用可行性。关键词：力敏薄膜；力敏传感器；力敏特性；FeCuNbSiB；丁基橡胶IABSTRACTComparedwiththesiliconerubbermatrixcompositefilm, Butyl rubberm atrixcompositefilm not onlyhasa good environmentalperformance, but also has advantages ofeasyto encapsulate andhigh tensilestrength,whichhasab-roadapplicationprospect.Compositefilmwasprepared bymoldingmethodwithFe73.5Cu1Nb3Si13.5B9 amorphousnanocrystallinepowderascompoundphaseandbutylrubberasmatrix phase.Force-sensitivepropertiesofFeCuNbSiB/IIRcompositefilmwerestudied fromforce-sensitivestabilityandforce-sensitivesensitivity,Thispaperinvestigate theeffectofloading/unloadingspeed,powdercontent,testingfrequency,film thicknessandtestingtemperatureonforce-sensitiveproperties.Theresultsshowtheforce-sensitivestabilitypropertyisbest,whenthe loading/unloadingspeedis0.1mm·min-1,andtheforce-sensitivesensitivityis excellentduring0-0.3MPa.Comparedtheforce-sensitivepropertiesofdifferent powdercontent,whenthepowdercontentofcompositefilmis85wt%,the force-sensitivepropertiesarebetterthan80wt%powdercontent.Whilethetestingfrequencyis1kHz,StressimpedanceeffectvalueSI%andstressimpedance sensitivityvalue|k|arebothhigherthan50kHz.whichindicatetheforce-sensitiveproperties of composite film are better than 50kHz. The force-sensitivepropertiesof200μmaresuperiorto150μm.Wh