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第三章 存储体系 3.1 存储器概述 本节主要内容包括： 存储器的基本概念 主存储器的组成 存储器的分类 存储器的性能指标 3.1.1存储器的基本概念 存储媒体 基本存储单元 存储单元 存储单元地址 存储体 3.1.2主存储器的组成 3.1.3存储器的分类 3.1.4存储器的性能指标 存储器容量 存储器所能容纳的二进制信息总量，通常以字节表示。 存储器速度 存取时间：从存储器读取一次信息（或写入一次信息）所需要的时间 存储周期：存储器进行一次完整的读写操作所需的全部时间 存储器带宽：单位时间内存储器可读写的字节数 存储器可靠性 破坏读出、信息易失、断电丢失 价格（成本） 对存储器的基本要求是：大容量、高速度、高可靠性和低成本 3.2 半导体存储元件 本节主要内容包括： 半导体存储器的常见分类及特点 半导体基本存储单元及其工作原理 半导体存储芯片的组织 3.2.1 半导体存储器的常见分类及特点 双极型半导体存储器TTL 、发射极耦合电路存储器ECL 其特点：速度高、驱动能力强，但集成度低、功耗大、价格高， 一般用于小容量的高速存储器。 MOS场效应晶体管存储器（分动态、静态两种） 其特点：集成度高、功耗小、工艺简单、成本低，但速度较低， 一般用于大容量存储器 3.2.2 半导体基本存储单元及其工作原理 (1)双极型半导体存储单元工作原理 存储原理：用晶体管导通与截 止来表示0和1。若T0导通、 T1截止表示存储0， 则T0 截止、 T1导通表示存储1。 工作原理： 写入操作 存储状态 读出操作 3.2.2 半导体基本存储单元及其工作原理（续） （2）动态MOS存储单元工作原理 存储原理：动态MOS存储单元 靠电容存储信息，若电 容充有电荷表示存储1， 电容放电则表示存储0。 工作原理： 写入操作 存储状态 读出操作 3.2.2 半导体基本存储单元及其工作原理（续） （3）静态MOS存储单元工作原理 存储原理：用晶体管导通与 截止来表示0和1。 工作原理： 写入操作 存储状态 读出操作 3.2.3 半导体存储芯片的组织 (1)一维地址译码方式 存储阵列由M×N个基本存储单元（位）组成。 存储阵列的每一行对应一个字，共用一根字线。 每一列对应不同字的同一位，用位线相连。 用一组地址译码器对地址进行译码，使其中一根字线有效， 选中相应的字。 下图是一个16*8位，采用一维地址译码方式的存储器示意图： 3.2.3 半导体存储芯片的组织（续） （2）二维地址译码的位选方式 存储阵列由M×N个基本存储单元（位）组成。 n位地址按行和列分成两组，分别由行、列两个译码器 译码，选中相应的行、列，即行线和列线交叉位置的基本存 储单元（位）被选中，通过位线进行读写。 可将多片同样芯片并联组成存储体，一个地址经过译码分别 选中每个芯片当中的一位组成一个存储单元。 其原理图如下： 3.2.3 半导体存储芯片的组织（续） （3）二维地址译码的字选方式 3.3 半导体只读存储器ROM 本节主要内容包括： 半导体只读存储器ROM的特点及应用 只能读出信息，而不能写入的随机存储器。 与RAM相比速度相当、结构简单、集成度高、造价低、功耗小、 可靠性高、无掉电信息丢失、无读出信息破坏、不需要刷新。 与外存相比，都具有掉电信息不丢失的特点，但速度高。 应用有以下三类： 存放软件 存放微程序 存放特殊编码 掩模只读存储器MROM 一次性编程只读存储器PROM 可改写的只读存储器EPROM 电可改写只读存储器EEPROM和闪存 3.3.1 掩模只读存储器MROM 3.3.2 一次性编程只读存储器PROM 这是一种封装后可编程序的半导体只读存储器。存储的初始内容是全“0”或全“1”，由用户根据自己的需要，用过载电压来写入信息，但只能写一次。多射极的熔丝式PROM示意图如下： 3.3.3 可改写的只读存储器EPROM EPROM是一种可多次改写的ROM。 其基本存储电路如图： 3.3.4 电可改写只读存储器EEPROM和闪存 3.4 主存储器与CPU的连接 本节主要内容包括： CPU与MM速度的协调 存储芯片的工作时序 用存储芯片构成主存储器 3.4.1 CPU与MM速度的协调 同步方式：CPU周期＝内存存取周期＝总线周期 由于CPU的速度远高于主存速度