半导体光电检测技术.pptVIP

光探测原理----半导体的光电效应 PN结光电检测原理说明 在 PN 结施加反向电压的情况下，受激吸收过程生成的电子?空穴对在电场的作用下, 分别离开耗尽区，电子向 N 区漂移，空穴向 P 区漂移，空穴和从负电极进入的电子复合，电子则离开 N 区进入正电极。从而在外电路形成光生电流。 当入射功率变化时，光生电流也随之线性变化，从而把光信号转变成电流信号。 光谱响应 对一给定的探测区材料就有一个能够探测的最低频率或最大波长，而对波长大于这个极限波长的光波就不能被探测到。 光子能量h?大于半导体材料的禁带宽度Eg时，价带上的电子可以吸收光子而跃迁到导带，否则不论入射光多强，光电效应都不会发生。所以，任何一种材料制作的光电二极管都有上截止波长?C： PIN光电二极管 为了克服 PN 管存在的问题，人们采用 PIN 光电二极管 PIN 二极管与 PN 二极管的主要区别是，在 P 和 N 层之间加入了一个 I 层，作为耗尽层。I 层的宽度较宽，约有（5 ~ 50）?m，可吸收绝大多数光子，使光生电流增加。 I 区是一层接近本征的掺杂很低的N 区，在这种结构中，零电场区（ 区和 区）非常薄，而低掺杂的 I 区很厚，耗尽层几乎占据了整个PN 结，从而使光子在耗尽区被充分吸收。 对于 InGaAs 材料的光电二极管，往往还采用异质结结构，耗尽区( InGaAs )夹在宽带隙的 InP