半导体集成电路（CMOS器件）的发展.pptVIP

半导体集成电路（CMOS器件）的发展与现状 ——CMOS的发展和现状 工科实验班（信息） 杨东哲 CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor），互补金属氧化物半导体，电压控制的一种放大器件。是组成CMOS数字集成电路的基本单元。 CMOS简介 互补式金属氧化物半导体（Complementary?Metal-Oxide-Semiconductor，CMOS，简称互补式金氧半）是一种集成电路制程，可在硅晶圆上制作出PMOS（P-channel MOSFET）和NMOS（N-channel MOSFET）组件，由于PMOS与NMOS在特性上为互补性，因此称为CMOS。此制程可用来制作微处理器（microprocessor），?单片机（microcontroller），静态随机存储器（SRAM）与其他数字逻辑电路。 所谓的“金属-氧化层-半导体”事实上是反映早期场效晶体管（Field-Effect Transistor, FET）的闸极（gate electrode）是由一层金属覆盖在一层绝缘体材料（如二氧化硅）所形成。今日的金氧半场效晶体管（MOSFET）组件多已采用多晶硅（polysilicon）作为其闸极的材料，但即便如此，“金氧半”（MOS）仍然被用在现在的组件与制程名称当中。 所有的FET都有栅极（gate）、漏极（drain）、源极（source）三个端，分别大致对应BJT的基极（base）、集电极（collector）和发射极（emitter）。除JFET以外，所有的FET也有第四端，被称为体（body）、基（base）、块体（bulk）或基底（substrate）。 基本名词解释 1.晶元：晶圆（Wafer）是指硅半导体积体电路制作所用的硅芯片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。晶圆是生产集成电路所用的载体，一般意义晶圆多指单晶硅圆片。 2.场效晶体管：场效应晶体管（英语：field-effect transistor，缩写：FET）是一种通过电场效应控制电流的电子元件。 它依靠电场去控制导电沟道形状，因此能控制半导体材料中某种类型载流子的沟道的导电性。场效应晶体管有时被称为单极性晶体管，以它的单载流子型作用对比双极性晶体管（bipolar junction transistors，缩写：BJT）。尽管由于半导体材料的限制，以及曾经双极性晶体管比场效应晶体管容易制造，场效应晶体管比双极性晶体管要晚造出，但场效应晶体管的概念却比双极性晶体管早。 CMOS的发展历史 1963年，仙童半导体（Fairchild Semiconductor）的Frank Wanlass发明了CMOS电路。到了1968年，美国无线电公司（RCA）一个由亚伯·梅德温（Albert Medwin）领导的研究团队成功研发出第一个CMOS集成电路（Integrated Circuit）。早期的CMOS组件虽然功率消耗比常见的晶体管-晶体管逻辑电路（Transistor-to-Transistor Logic, TTL）要来得低，但是因为操作速度较慢的缘故，所以大多数应用CMOS的场合都和降低功耗、延长电池使用时间有关，例如电子表。不过经过长期的研究与改良，今日的CMOS组件无论在使用的面积、操作的速度、耗损的功率，以及制造的成本上都比另外一种主流的半导体制程BJT（Bipolar Junction Transistor，双载子晶体管）要有优势，很多在BJT无法实现或是实现成本太高的设计，利用CMOS皆可顺利的完成。 早期分离式CMOS逻辑组件只有“4000系列”一种（RCA COS/MOS制程），到了后来的“7400系列”时，很多逻辑芯片已经可以利用CMOS、NMOS，甚至是BiCMOS（双载子互补式金氧半）制程实现。 CMOS的发展历史 早期的CMOS组件和主要的竞争对手BJT相比，很容易受到静电放电（ElectroStatic Discharge, ESD）的破坏。而新一代的CMOS芯片多半在输出入接脚（I/O pin）和电源及接地端具备ESD保护电路，以避免内部电路组件的闸极或是组件中的PN接面（PN-Junction）被ESD引起的大量电流烧毁。不过大多数芯片制造商仍然会特别警告用户尽量使用防静电的措施来避免超过ESD保护电路能处理的能量破坏半导体组件，例如安装存储器模块到个人电脑上时，通常会建议用户配戴防静电手环之类的设备。 CMOS的发展历史 此外，早期的CMOS逻辑组件（如4000系列）的操作范围可由3