存档 20070904 半导体工艺制程.pptVIP

芯 片 制 造 ——半导体工艺制程实用教程 芯片制造 芯片制造概述 晶圆制备 芯片制造中的两个关键问题：污染控制和工艺良品率 晶圆制造的基础工艺 晶圆制造实例——CMOS工艺流程中的主要步骤 芯片制造概述 晶圆制备 晶圆制备 污染控制 四类危害半导体器件的污染物： 微粒 金属离子 化学物质 细菌 污染控制 生产厂房的7种污染源： 空气、厂务设备、洁净室工作人员、工艺使用水、工艺化学溶液、工艺化学气体、静电 晶片表面常见4类污染: 颗粒、有机残余物、无机残余物、需要去处的氧化层 工艺良品率 三个工艺良品率的主要测量点 晶圆生产部门——良品率=晶圆产出数/晶圆投入数 晶圆电测——良品率=合格芯片数/晶圆上的芯片总数 封装——良品率=终测合格的封装芯片数/投入如封装生产线的合格芯片数 整体良品率为上述三个良品率的乘积 整体良品率=生产良品率X电测良品率X封装良品率 晶圆制造的基础工艺 晶圆制造的基础工艺 增层——氧化工艺 增层——氧化工艺 增层——氧化工艺 增层——氧化工艺 增层——淀积工艺 两种方法： 化学气相淀积 物理气相淀积 淀积的目的： 生成除了有源元件之外的半导体、绝缘介质和导电层 淀积生成：掺杂的硅层（外延层）、金属间的绝缘介质层、金属间的导电连线、金属导体层、最后的钝化层 增层——淀积工艺 增层——淀积工艺 增层——金属淀积 金属化：芯片制造过程中，在绝缘介质薄膜上淀积金属薄膜以及随后刻印图形以便形成互连金属线和集成电路的孔被填充的过程。 增层——金属淀积 增层——金属淀积 金属淀积的方法： 真空蒸发 溅射淀积（PVD） 金属化学气相淀积 增层——金属淀积 金属淀积的方法： 真空蒸发 溅射淀积（PVD） 金属化学气相淀积 晶圆制造的基础工艺 光刻 光刻概述 光刻胶 光刻工艺 光刻-光刻概述 光刻使用光敏光刻胶材料和可控制的曝光在硅片表面形成三维图形。 光刻工艺的两个目标： 在晶圆表面建立尽可能接近设计规则中所要求尺寸的图形，即达到一定的分辨率。 在晶圆表面正确定位图形，即要求达到对准精度。 光刻-光刻概述 负性光刻 亮场掩模+负光刻胶 正性光刻 暗场掩模+正光刻胶 光刻-光刻胶 光刻胶的组成: 聚合物、溶剂、感光剂、添加剂 负光刻胶 其曝光区域交联硬化，使光刻胶难溶于显影溶液中。负相掩模图形出现在光刻胶上。 正光刻胶 其曝光区域变得更易溶解，使光刻胶在显影液中溶解。正相掩模图形出现在光刻胶上。 光刻-光刻工艺 表面准备 涂光刻胶 软烘培 对准和曝光 曝光后烘培 显影 硬烘培 显影检查 刻蚀 光刻-光刻工艺 表面准备 涂光刻胶 软烘培 对准和曝光 曝光后烘培 显影 硬烘培 显影检查 刻蚀 光刻-光刻工艺 表面准备 涂光刻胶 软烘培 对准和曝光 曝光后烘培 显影 硬烘培 显影检查 刻蚀 光刻-光刻工艺 表面准备 涂光刻胶 软烘培 对准和曝光 曝光后烘培 显影 硬烘培 显影检查 刻蚀 光刻-光刻工艺 表面准备 涂光刻胶 软烘培 对准和曝光 曝光后烘培 显影 硬烘培 显影检查 刻蚀 光刻-光刻工艺 表面准备 涂光刻胶 软烘培 对准和曝光 曝光后烘培 显影 硬烘培 显影检查 刻蚀 光刻-光刻工艺 表面准备 涂光刻胶 软烘培 对准和曝光 曝光后烘培 显影 硬烘培 显影检查 刻蚀 光刻-光刻工艺 表面准备 涂光刻胶 软烘培 对准和曝光 曝光后烘培 显影 硬烘培 显影检查 刻蚀 光刻-光刻工艺 表面准备 涂光刻胶 软烘培 对准和曝光 曝光后烘培 显影 硬烘培 显影检查 刻蚀 光刻-光刻工艺 表面准备 涂光刻胶 软烘培 对准和曝光 曝光后烘培 显影 硬烘培 显影检查 刻蚀 光刻-光刻工艺 表面准备 涂光刻胶 软烘培 对准和曝光 曝光后烘培 显影 硬烘培 显影检查 刻蚀 光刻-光刻工艺 表面准备 涂光刻胶 软烘培 对准和曝光 曝光后烘培 显影 硬烘培 显影检查 刻蚀 晶圆制造的基础工艺 热扩散 扩散工艺的三个目的： 在晶圆表面产生具体掺杂原子的数量 在晶圆表面下的特定位置处形成PN(或NP)结 在晶圆表面形成特定的掺杂原子（浓度）分布 扩散工艺的两个步骤 淀积 预清洗与刻蚀、淀积、去釉、评估 推进氧化 推进过程没有杂质源，杂质在晶圆中向深处再分布 氧化晶圆的暴露表面 离子注入 离子注入在离子注入机中进行。离子束在电场中加速，以很高的动能被注入到硅片的晶格结构中。束流扫描整个硅片，使硅片表面均匀掺杂。 扩散是一个化学过程，离子注入是一个物理过程。 离子注入过程中没有侧向扩散，工艺在接近室温下进行。 宽范围浓度的掺杂成为可能。 对晶圆内掺杂的位置和数量能进行更好的控制。 晶圆制造的基础工艺 晶圆制造的基础工艺 晶圆制造实例——CMOS工艺流程中的主要步骤 CMOS工艺流程中的主要步骤 谢 谢！ 软烘的目的： 光刻胶中溶剂