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Inventec EMCEMI Student Guide Main Title Electromagnetic Field Theory Maxwell’s equations Permeability Conductivity Absorb Shield Reflex Shield Electromagnetic Interference (Compatible) Place radiate Antenna Harmonic waves What should we do Shield Grand Transmission line Maxwell’s equations 电位移的散度等于该点处自由电荷的体密度 电场强度的旋度等于该点处磁感强度变化率的负值 磁场强度的旋度等于该点处传导电流密度与位移电流密度的矢量和 磁感强度的散度处处等于零 通过方程组我们可以得到的 1.波阻抗 屏蔽体波阻抗 Zm=[(jωμ)/σ]^1/2 介质波阻抗 Zd (空气 Zd=377?) 2.衰减 A=20lg|cos(γt)| + 20lg|1+1/2(N+1/N)sin (γt)| dB A=A0+An; A0=|cos(γt)|;An=ln|1+1/2(N+1/N)sin(γt)| 式中γ=(jωμσ)^1/2 N=Zd/Zm μ=导磁率 σ=导电率 导磁率比较高的材料我们称为强磁材料，比如钢。 导磁率比较低的材料我们称为抗磁材料，比如铜、铝和铅。 强磁屏蔽体的吸收衰减性质很好，而反射衰减很坏；抗磁屏蔽体正好相反。 Permeability Conductivity 现实中往往使用双层屏蔽体 内侧铜外侧铁或者外侧铜内侧铁 1. 吸收屏蔽 吸收屏蔽是由屏蔽体内涡流的热损耗所引起的。频率越高及蔽体越厚，屏蔽效果越好。 2. 反射屏蔽 反射屏蔽则决定于制成屏蔽体的金属与包围屏蔽体的介质两者波形特性不一致程度。介质与金属的波阻抗相差越大，由于反射引起的屏蔽效果越强。 3. 强磁屏蔽体的吸收衰减性质很好，而反射衰减很坏；抗磁屏蔽体正好相反。 Absorb Shield Reflex Shield 由0至f1=3~10kHz的第一区中，强磁屏蔽体工作于静磁状态，他比抗磁屏蔽体具有更好的屏蔽性质； 在第二区及第三区中，两种屏蔽体都工作于电磁状态。然而在f1至f2=10^6Hz的第二区中抗磁屏蔽体具有更好的屏蔽效果。 在f2=10^6Hz及以上区域的第三区中强磁屏蔽体的优越性就很显著了。 远场 hΛ/2л 形式表现为电磁感应 近场 hΛ/2л 形式表现为电磁耦合 耦合分为电容耦合与电感耦合 任何两金属之间都存在分布电容 任何两导线之间都存在分布电感 Place radiate 电容耦合表现形式 Place radiate 电感耦合表现形式 电场天线 磁场天线 远场电磁耦合形式 共模方式 来源于共电源线与共地线的共阻抗耦合 差模方式 来源于地电位差与周围场强的环路干扰 Antenna 共模与差模 在同等条件下差模电流造成的影响远小于共模电流造成的影响。 实验表明在30~230MHz的情况下差模电流20mA可以造成40dBuV/m的影响，而共模电流只要8uA就可以做到。 频率越高，辐射的能力越强。 Antenna F(t)=a0/2+a1cosωt+a2cos2ωt+…+ancosnωt +… +b1sinωt+b2sin2ωt+…+bnsinnωt +… 直流分量a0/2 基波a1cosωt 偶次谐波a2cos2ωt+b2sin2ωt+… 奇次谐波a3cos2ωt+b3sin2ωt+… Harmonic waves a和b随着级数的增加而减少 由于正负交替一般偶次谐波造成的影响比较小 一般三次谐波造成的影响最为严重 信息技术设备的工作信号是数字脉冲信号，具有很宽的频带，从电磁兼容角度应该考虑的最高频率为时钟频率的10倍或者为1/πtr, tr为脉冲的上升沿时间，即脉冲的前沿越陡峭或脉冲的重复频率越高，则脉冲包含的高频能量越大。 F(ω)=Aτ+Sa(ωτ/2) Sa(x)=sinx/x Harmonic waves 由于干扰源处于内部,所以采用主动屏蔽 对于主动屏蔽双层屏蔽式采用外侧铁内侧铜 机箱的屏蔽效能由孔缝直径决定，机箱孔缝等效于二次发射天线 Shield 主动屏蔽是指干扰源处于内部,防止干扰波泄漏到外部空间的结构。这种空间结构虽属于邻近电磁场，但也必须考虑驻波的影响，因此这种情况必须进行接地，接地电阻越小越好。 对电源干线穿过屏蔽体的导线，必须设法接入滤波器，目的是为了解决通过电源线向屏蔽外部传输干扰电流，进而有天线效应形成辐射电磁场。