模拟电子技术基础简明教程清华大学编课件第一章.docVIP

本文由蜗牛也挺牛贡献 p?pt文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT，或下载源文件到本机查看。 第一章 半导体器件 ?1.1 半导体的特性 1.2 ?半导体二极管 1.3 双极型三极管 1.4 场效应三极管 要求： 了解关于半导体的基本概念； 要求： 了解关于半导体的基本概念； 掌握二极管、三极管、场效应管的特点及特性； 掌握二极管、三极管、场效应管的特点及特性； 能够分析简单的应用电路； 能够分析简单的应用电路； 教学目的 了解各种半导体器件是构成模拟电路的基本元件 掌握半导体二极管和稳压管的伏安特性和主要参数 教学重点与难点 半导体二极管的单向导电作用 稳压二极管的稳压作用 §1.?1 半导体的特性 半导体器件由各种半导体材料制成， Si、 半导体器件由各种半导体材料制成，如Si、 Ge等 Ge等。 本征半导体（导电能力很差） 一、本征半导体（导电能力很差） 杂质半导体（导电能力强） 二、杂质半导体（导电能力强） 复习以前的知识 l ?R=ρ S? ?根据物体导电能力(电阻率)的不同， 根据物体导电能力(电阻率)的不同，物体可 划分导体、绝缘体和半导体。 划分导体、绝缘体和半导体。 半导体的电阻率为10-3～109 ???cm。典型的半 ??cm c?m。 半导体的电阻率为10 导体有硅Si和 Ge以及砷化镓GaAs等 以及砷化镓GaAs ?导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。它们的导 电能力介于导体和绝缘体之间，并且会随温度、 电能力介于导体和绝缘体之间，并且会随温度、 光照或掺入某些杂质而发生显著变化。 光照或掺入某些杂质而发生显著变化。要理解这 些特性，就必须从半导体的原子结构谈起。 些特性，就必须从半导体的原子结构谈起。 硅和锗是四价元素， 硅和锗是四价元素，在原子最外层轨道上的 四个电子称为价电子 价电子。 四个电子称为价电子。 4? 2 4 ?18 8 ? 8? 2 ? Si ? G?e ? 硅原子 锗原子 价电子 ?+4 +4? +4 ? +4? ?+4 ? +4 ? 共价键 +4 ?+4 +4? ?单晶硅和锗的共价键结构示意图 价电子分别与周围的四个原子的价电子形成 共价键。共价键中的价电子为这些原子所共有， 共价键。共价键中的价电子为这些原子所共有， 并为它们所束缚，在空间形成排列有序的晶体。 并为它们所束缚，在空间形成排列有序的晶体。 一、本征半导体 纯净的、 纯净的、不含杂质的半导体 ?+4 ? +4 ? +?4 ? +4 ? +4? ?+4 ? +4 ? +?4 ? +4 ? 本征半导体的结构示意图 1?、电子空穴对 当晶体处于热力学温度T=0K （t=-273℃)?时， 当晶体处于热力学温度T=0 t=T?= 价电子的能量不足以挣脱共价键的束缚， 价电子的能量不足以挣脱共价键的束缚 ， 晶体中 没有自由电子，故半导体不导电。 没有自由电子，故半导体不导电。 当温度升高或受到光的照射时， 当温度升高或受到光的照射时 ， 将有少数价 电子获得足够的能量可以挣脱共价键的束缚成为 自由电子。 自由电子。 这一现象称为本征激发，也称热激发。 这一现象称为本征激发，也称热激发。 本征激发 热激发 自由电子产生的同时，在其原来的共价键中 自由电子产生的同时， 就留下一个空位，这种空位称为空穴 空穴。 就留下一个空位，这种空位称为空穴。将空穴看 成带正电的载流子。 成带正电的载流子。 空穴 自由电子 因热激发而出现的 自由电子和空穴是同时 成对出现的，称为电子 成对出现的，称为电子 空穴对。 空穴对。游离的部分自 由电子也可能回到空穴 中去，称为复合 复合。 中去，称为复合。本征 激发和复合在一定温度 下会达到动态平衡。 下会达到动态平衡。 +?4 复合 +4 ? +4 ?激 发 +4? ?+4 ? +4 ? +?4 ? +4 ? +4? ?2、空穴的运动 本征激发和复合的过程 附近的价电子填补已存在的空穴， 附近的价电子填补已存在的空穴 ， 留下新的空 穴，形成空穴运动。自由电子的定向运动形成电子 形成空穴运动。 电流，空穴的定向运动形成空穴电流， 电流，空穴的定向运动形成空穴电流，它们的运动 方向相反，电流方向相同。 方向相反，电流方向相同。 可见半导体中存在两种载