第2章 2812简介.pptVIP

2．片内存储器 128K×16位的Flash存储器 可分为8K×4块和16K×6块，可固化程序，也可保存用户数据。用户对每个块可单独擦除、编程和校验。 1K×16位的OTP型只读存储器 地址 0x3D7800~0x3D7BFF,可根据需要存放程序或数据， 只能编程1次而不能擦除。 L0、L1、H0 SARAM 片内集成 16K×16位的RAM,分为3部分：4K+4K+8K。 每部分都可独立作为用户的程序空间或数据空间。 M0、M1 SARAM ：2块 1K×16位的SARAM 系统复位时，指针会指向M0块的起始位置处。可根据需要存放数据，或存放程序。 6．外部中断扩展（PIE）模块 PIE支持96个外设中断，分为8组，每组映射到12条中断线上（INT1-INT12）， F2812已经定义45个中断。 每个中断都有自己的中断向量，存储在RAM模块中，用户可根据需要进行设置和修改。当发生中断时，会自动获取中断向量。 CPU取中断向量及保存寄存器的内容只需8个CPU时钟周期，所以可快速相应中断。 中断优先级及模块使能可用软件设置 8．128位的密钥 F2812提供很好的安全保证，保护用户的软件不被恶意修改，当用户向Flash烧写程序时，要求用户提供128位密码。 这种安全保护模式可保护芯片Flash/ROM/OTP与L0/L1（SARAM）片段，防止未授权的用户盗取程序。 禁止观看内存程序 禁止观察外存内容 禁止非法用户利用某些软件导出内存中的内容 用户想获得芯片使用权，必须先输入128位密码 系统设置的密码被保存在Flash/ROM内。 如果选择密码保护模式，则在0x3F7F80~0x3F7FFF地址段内的空间将被占用，且当设置密码时该空间将会置成0。当不需要安全保护，该空间用于存储数据、程序。 注意：128位密码不要置成全0，如置成全0，将会永久锁住芯片，导致芯片作废。 1. 外部接口（XINTF）信号 （1）XA[18]~XA[0] ：O/Z 功能：19位地址总线 （2）XD[15] ~XD[0] ：I/O/Z 功能：16位数据总线 （3）XMP/MC*（17脚）：I，PU 功能：微处理器/微计算机模式*的选择。 高电平：外部接口区域7有效， 低电平：区域7无效，可使用片内的Boot ROM功能。复位时该引脚信号被锁存在XINTCNF2寄存器中，通过软件可修改该模式状态。此信号是异步输入，并与XTIMCLK同步。 （4）XHOLD*：I，PU 功能：外部DMA保持请求信号。低电平时请求XINTF释放外部总线，并把所有的总线与选通端置为高阻态。当对总线操作完成且没有即将对XINTF进行访问时，XINTF释放总线。此信号是异步输入并与XTIMCLK同步。 （5）XHOLDA* ：O/Z 功能：外部DMA保持确认信号。当XINTF响应XHOLD*的请求时，本脚呈低电平，所有XINTF总线和选通端呈高阻态。 XHOLD*和XHOLDA*信号同时发出。当低有效时外部器件只能使用外部总线。 （6）XZCS0AND1*：O/Z 功能：XINTF区域0和区域1的片选，当访问XINTF区域0或1时低有效。 （7） XZCS2* ：O/Z 功能：XINTF区域2的片选。当访问XINTF区域2时低有效。 （8） XZCS6AND7* ：O/Z 功能：XINTF区域6和7的片选。当访问区域6或7时低有效。 （9）XWE*：O/Z 功能：写有效（低电平）。写选通信号是每个区域操作的基础，由XTIMINGx寄存器的前一周期、当前周期和后一周期的值确定。 （10）XRD*（42脚）：O/Z 功能：读有效（低电平）。读选通信号是每个区域操作的基础，由XTIMINGx寄存器的前一周期、当前周期和后一周期的值确定。 注意：XRD*和XWE*是互斥信号。 （11）XR/W*：O/Z 功能：通常为高，当为低电平时表示处于写周期，当为高电平时表示处于读周期。 2. 时钟及JTAG仿真信号 （1）X1/XCLKIN：I 功能：时钟振荡器输入/内部振荡器输入，该脚也可用来接外部时钟。2812可使用一个外部时钟源，但要在该引脚上提供适当的驱动电平，为适应1.8V内核数字电源（VDD），而不是3.3V的I/O电源（VDDIO）。可使用一个箝位二极管去箝位时钟信号，以保证它的逻辑高电平不超过VDD（1.8V或1.9V）或去使用一个1.8V振荡器。 （2）X2：I 功能：振荡器输出。 （3）XCLKOUT：O 功能：源于SYSCLKOUT的单个时钟输出，用来产生片内和片外等待状态，作为通用时钟源。XCLKOUT与SYSCLKOUT的频率或