介质调制algangan增强型器件模拟研究-simulation study on dielectric - modulated al gan enhanced device.docxVIP

万方数据 独 创 性 声 明 本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作 及取得的研究成果。据我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方 外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为 获得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与 我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的 说明并表示谢意。 签名： 日期： 年 月 日 关于论文使用授权的说明 本学位论文作者完全了解电子科技大学有关保留、使用学位论文 的规定，有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘， 允许论文被查阅和借阅。本人授权电子科技大学可以将学位论文的全 部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或扫描 等复制手段保存、汇编学位论文。 （保密的学位论文在解密后应遵守此规定） 签名： 导师签名： 日期： 年 月 日 ABSTRACT 摘 要 当前 AlGaN/GaN 异质结器件中，由于天然存在的高浓度二维电子气（2DEG）， 使得大部分的器件都属于耗尽型器件。尽管人们已经探索出来一些实现增强型器 件的方法，但尚未从理论上系统研究。针对这一问题，本文考虑离子注入、栅介 质及铁电栅等作用完善了 AlGaN/GaN 异质结器件的电荷控制模型。通过数值模拟 的方法，探寻了利用栅介质对器件特性进行调制，并实现增强型器件的三类方法。 通过对三类模型分别模拟计算分析，对调制方法、实现条件、各自优缺点进行了 系统的分析和总结。主要研究结果如下： 第一类为利用离子掺杂栅介质调制实现增强型器件。主要利用了掺杂了杂质 离子的栅介质对沟道进行调制。分别计算了 SBA（Na: β-Al2O3）和 F-处理 Al2O3 作为栅介质的 MIS HEMT 的 2DEG 特性。发现 SBA 可使器件的阈值电压右移，但 难以真正实现增强型器件。而计算得到的 F-离子注入的 F：Al2O3/AlGaN/GaN 可 实现器件阈值电压为+0.7V。对掺杂浓度、离子注入深度等方面的控制和调整，阈 值电压可以有进一步优化的效果。 第二类为不同介电系数栅介质 MOS HEMT 实现增强型器件。减薄 AlGaN 势 垒层可有效使阈值电压正向移动。耗尽??向增强型器件转变的临界厚度为 7nm 左 右。这与实验结果一致。通过对比发现，选用低 k 材料更容易将沟道电子耗尽。 回避了减薄 AlGaN 势垒层会减小饱和电流的弊端，可更好地满足实际使用的要求。 第三类为铁电栅介质调制实现增强型器件。利用铁电材料作为栅介质，利用 铁电材料外加电压下极化反转的特性，实现对沟道极化诱导二维电子气的调制。 研究发现，尽管钙钛矿铁电材料的极化强度大，但由于介电系数较大，很难有效 耗尽沟道 2DEG；而低介电系数的铁电栅介质则可实现增强型器件。 关键词：介质调制、增强型、AlGaN/GaN 异质结 II ABSTRACT ABSTRACT Nowadays, due to high concentrations of naturally existing two-dimensional electron gas（2DEG）, most of AlGaN / GaN heterostructure devices are depletion-mode device. Although a number of ways to achieve enhanced devices has been found, their theoretical explanation has not been systematically carried out. To solve these problems, the function of ion implantation, gate dielectric and ferroelectric gate is considered to improve the AlGaN / GaN heterostructure devices charge control model. Three types of methods ， using of the gate dielectric modulate device characteristics to achieve enhanced device characteristics, are researched by the numerical simulation model. Through analysis the simulation result of three types of models, modulation methods, achi