ch4半导体二极管、三极管和场效应管 电路与 及电子学.ppt

4.3 双极型晶体管 下一页 前一页 第 1-* 页 退出本章 例3：测得工作在放大电路中几个晶体管三个电极的电位U1、U2、U3分别为： （1）U1=3.5V、 U2=2.8V、　 U3=12V （2）U1=3V、　 U2=2.8V、　 U3=12V （3）U1=6V、　 U2=11.3V、　 U3=12V （4）U1=6V、　 U2=11.8V、　 U3=12V 判断它们是NPN型还是PNP型？是硅管还是锗管？并确定e、b、c。 原则：先求UBE，若等于0.6-0.7V，为硅管；若等于 0.2-0.3V，为锗管。　发射结正偏，集电结反偏。 　　　 NPN管　UBE＞0，　 UBC＜0，即UC ＞ UB ＞ UE 。 　　　 PNP管　UBE＜0，　 UBC0，即UC ＜ UB ＜ UE 。 解： 4.3 双极型晶体管 下一页 前一页 第 1-* 页 退出本章 （1）U1=3.5V、U2=2.8V、　U3=12V （2）U1=3V、　U2=2.8V、　U3=12V （3）U1=6V、　U2=11.3V、　U3=12V （4）U1=6V、　U2=11.8V、　U3=12V 判断它们是NPN型还是PNP型？是硅管还是锗管？并确定e、b、c。 　　（1）U1 b、U2 e、U3 c NPN 硅 （2）U1 b、U2 e、U3 c NPN 锗 （3）U1 c、U2 b、U3 e PNP 硅 （4）U1 c、U2 b、U3 e PNP 锗 解： 例： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当USB = -2V，2V，5V时，晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？ 1） USB = - 2V时： IB=0 ， IC=0 Q位于截止区 4.3 双极型晶体管 解： RC IC UCE IB USC RB USB C B E 下一页 前一页 第 1-* 页 退出本章 2）USB =5V时: IB IBmax， Q位于饱和区。(实际上，此时IC和IB 已不是?的关系，晶体管饱和失真） 4.3 双极型晶体管 RC IC UCE IB USC RB USB C B E 例： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当USB = -2V，2V，5V时，晶体管的静态工作点Q位于哪个区？ ICMAX ＝ (USC－UCES)/RC ＝(12－0.3)/6 ＝ 1.95(mA) 下一页 前一页 第 1-* 页 退出本章 IBMAX ＝ ICMAX/? ＝ 1.95/50=0.039 mA IB IBmax (=1.95mA) ， Q位于放大区。 3）USB =2V时： 4.3 双极型晶体管 RC IC UCE IB USC RB USB C B E 例： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当USB = -2V，2V，5V时，晶体管的静态工作点Q位于哪个区？ 下一页 前一页 第 1-* 页 退出本章 IBMAX ＝ ICMAX/? ＝ 1.95/50=0.039 mA 6V 20K 200K 1.5K S 1V A B C 例： 电路如图所示， ?=50，当开关S分别接到ABC三个触点时，判断三极管的工作状态。 4.3 双极型晶体管 4.3 双极型晶体管 三极管的参数分为三大类: 直流参数、交流参数、极限参数 1、直流参数 1）共发射极直流电流放大系数 =（IC－ICEO）/IB≈IC / IB ? vCE=const 2）共基直流电流放大系数 3）集电极基极间反向饱和电流ICBO 集电极发射极间的穿透电流ICEO ICEO=（1+ ）ICBO 2、交流参数 1）共发射极交流电流放大系数? ? =?iC/?iB?UCE=const 2） 共基极交流电流放大系数α α=?iC/?iE? UCB=const 3）特征频率 fT ?值下降到1的信号频率 4.3 双极型晶体管 1）最大集电极耗散功率PCM PC= iCuCE 3、 极限参数 2）最大集电极电流ICM 3）反向击穿电压 ? UCBO——发射极开路时的集电结反 　　　　　向击穿电压。 ? U EBO——集电极开路时发射结的反 　向击穿电压。 ? UCEO——基极开路时集电极和发射 极间的击穿电压。 几个击穿电压有如下关系 UCBO＞UCEO＞UEBO 4.3 双极型晶体管