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* * 陶瓷薄膜制备方法 1 2 3 前言 陶瓷薄膜的制备方法 磁控溅射与分子束外延法 前言 陶瓷薄膜简介 陶瓷薄膜（ceramic film）： 用特殊工艺技术，将陶瓷材料制成厚度在几微米以下而仍能保持陶瓷优越性能的一类陶瓷材料。 物理方法，包括真空热蒸发、直流和射频溅射(包括离子束溅射)，激光蒸发以及分子束外延技术； 制备方法 化学方法，包括喷雾热解、化学气相沉积(CVD)、溶胶-凝胶(Sol-Gel)及金属有机气相沉积(MOCVD)法等。 每种方法均要求在基片上提供合适的原子流以便使需要的成分的薄膜在基片表面上可控生长。各种制备方法均各有其长处和短处，但可以根据不同的材料对象和应用目标选择适宜的工艺技术。  陶瓷薄膜的应用简介 常见的陶瓷薄膜有高介电常数的钛酸钡薄膜、钛酸铅薄膜 可用于制造大容量的薄膜电容器； 掺镧的锶钡钛酸盐薄膜 可制成热敏电阻辐射热测量器； 铌酸锶钡薄膜 可制成热释电探测器； 钛酸铋薄膜 可制成铁电显示器； 钇钡铜氧薄膜 可制成超导体用； 氧化铝薄膜、氧化锆薄膜、氧化钛薄膜 可作为固-液分离膜使用。 陶瓷薄膜的制备方法 在陶瓷薄膜研究中，除需针对具体应用选择适应衬底和膜材料外，还需注意以下4个方面的研究 1)制备工 艺及相关动力学问题和薄膜的形成机理； 2)陶瓷薄膜的物理化学结构性能； 3)陶瓷薄膜的物理性能； 4)陶瓷薄膜的界面和表面。 陶瓷薄膜的形成机理 制备陶瓷薄膜的方法有很多种，每种方法都有相关的物质运输、反应动力学和薄膜形成机理。一般而言，薄膜的形成过程实质是气—固转换。 晶体生成过程大致可分为下面几个主要的步骤：  原子或分子撞击到固体表面 被固体表面的原子吸附或直接返回到空间 被吸附的离子在固体表面发生迁移或扩散而移动固体到表面上合适的格点位置并进入晶格 这个过程以及它们的相互关系就决定了薄膜的形成过程和薄膜的性质。沉积条件是影响薄膜形成的主要因素，它决定着所形成薄膜的质量(化学组成以及结构的完整性等)。 物理-化学法 物理法 化学法 制备方法  陶瓷薄膜制备方法 射频磁控溅射 分子束外延 溶胶-凝胶 化合物气相淀积 真空蒸发 磁控溅射与分子束外延法 电离 （电子、离子） 高压电场 工作气体 电场 磁场 加速运动 靶材原子脱离靶材 轰击靶材 趋于基片运动 淀积成膜 电子束 电子枪 电场 磁场 电子加速 微区温度升高 趋于基片运动 淀积成膜 束孔 闸门 集中轰击 靶材微区 靶材 原子汽化