第2章 节 　高频电路基础 高频电路基础课件ppt 高频电路原理与分析.ppt

第2章　高频电路基础;2.1.1 高频电路中的元件 　　1． 电阻器 　　一个实际的电阻器，在低频时主要表现为电阻特性，但在高频使用时不仅表现有电阻特性的一面，而且还表现有电抗特性的一面。电阻器的电抗特性反映的就是其高频特性。 　　一个电阻R的高频等效电路如图2-1所示，其中，CR为分布电容，LR为引线电感，R为电阻。分布电容和引线电感越小，表明电阻的高频特性越好。电阻器的高频特性与制作电阻的材料、电阻的封装形式和尺寸大小有密切关系。一般说来，金属膜电阻比碳膜电阻的高频特性要好，而碳膜电阻比线绕电阻的高频特性要好; 表面贴装(SMD)电阻比引线电阻的高频特性要好; 小尺寸的电阻比大尺寸的电阻的高频特性要好。;图 2-1 电阻的高频等效电路;　　2. 电容器 　　由介质隔开的两导体即构成电容。作为电路元件的电容器一般只考虑其电容量值(标称值)，在理论上也只按电容量来处理。但实际上一个电容器的等效电路却如图2-2(a)所示。其中，电阻RC为极间绝缘电阻，它是由于两导体间的介质的非理想(非完全绝缘)所致，通常用损耗角δ或品质因数QC来表示; 电感LC为分布电感或(和)极间电感，小容量电容器的引线电感也是其重要组成部分。;图2-2 电容器的高频等效电路 (a) 电容器的等效电路; (b) 电容器的阻抗特性;　　工作频率越高，趋肤效应越强，再加上涡流损失、磁芯电感在磁介质内的磁滞损失以及由电磁辐射引起的能量损失等，都会使高频电感的等效电阻(交流电阻)大大增加。一般地，交流电阻远大于直流电阻，因此，高频电感器的电阻主要指交流电阻。但在实际中，并不直接用交流电阻来表示高频电感器的损耗性能，而是引入一个易于测量、使用方便的参数——品质因数Q来表征。品质因数Q定义为高频电感器的感抗与其串联损耗电阻之比。Q值越高，表明该电感器的储能作用越强，损耗越小。因此，在中短波段和米波波段，高频电感可等效为电感和电阻的串联或并联。;　　若工作频率更高，电感内线圈匝与匝之间及各匝与地之间的分布电容的作用就十分明显，等效电路应考虑电感两端总的分布电容，它应与电感并联。 　　与电容器类似，高频电感器???具有自身谐振频率SRF。在SRF上，高频电感的阻抗的幅值最大，而相角为零，如图2-3所示。; 图 2-3 高频电感器的自身谐振频率SRF;2.1.2 高频电路中的有源器件 　　1. 二极管 　　半导体二极管在高频中主要用于检波、调制、解调及混频等非线性变换电路中，工作在低电平。因此主要用点接触式二极管和表面势垒二极管(又称肖特基二极管)。两者都利用多数载流子导电机理，它们的极间电容小、工作频率高。常用的点接触式二极管(如2AP系列)，工作频率可到100～200 MHz，而表面势垒二极管，工作频率可高至微波范围。;　　另一种在高频中应用很广的二极管是变容二极管， 其特点是电容随偏置电压变化。我们知道，半导体二极管具有PN结，而PN结具有电容效应，它包括扩散电容和势垒电容。当PN结正偏时，扩散效应起主要作用； 而当PN结反偏时，势垒电容将起主要作用。利用PN结反偏时势垒电容随外加反偏电压变化的机理，在制作时用专门工艺和技术经特殊处理而制成的具有较大电容变化范围的二极管就是变容二极管。变容二极管的结电容Cj与外加反偏电压u之间呈非线性关系(见第7章)。变容二极管在工作时处于反偏截止状态，基本上不消耗能量，噪声小，效率高。将它用于振荡回路中，可以作成电调谐器，也可以构成自动调谐电路等。变容管若用于振荡器中，可以通过改变电压来改变振荡信号的频率。这种振荡器称为压控振荡器(VCO)。压控振荡器是锁相环路的一个重要部件。电调谐器和压控振荡器也广泛用于电视接收机的高频头中。具有变容效应的某些微波二极管(微波变容管)还可以进行非线性电容混频、倍频。 ;　　还有一种以P型、N型和本征(I)型三种半导体构成的PIN二极管，它具有较强的正向电荷储存能力。它的高频等效电阻受正向直流电流的控制，是一电可调电阻。它在高频及微波电路中可以用作电可控开关、限幅器、电调衰减器或电调移相器。;　　2. 晶体管与场效应管(FET) 　　在高频中应用的晶体管仍然是双极晶体管和各种场效应管， 这些管子比用于低频的管子性能更好，在外形结构方面也有所不同。;　　高频晶体管有两大类型: 一类是作小信号放大的高频小功率管，对它们的主要要求是高增益和低噪声; 另一类为高频功率放大管，除了增益外，要求其在高频有较大的输出功率。目前双极型小信号放大管，工作频率可达几千兆赫兹，噪声系数为几分贝。小信号的场效应管也能工作在同样高的频率，且噪声更低。一种称为砷化镓的场效应管，其工作频率可达十几千兆赫兹以上。在高频大功率晶体管方面，在几百兆赫兹以下频率，双极型晶体管的输出功率可达十几瓦至上百瓦。而金属氧化物场效