第3章 节 逻辑门电路 电力数电.pptVIP

或门 Y=A+B=A+B 异或门 3.2.5 ⑴ 集电极开路门电路（P.98. OC与非门） 理由（见P.83. ）: 为解决一般TTL与非门不能线与而设计的。 ①A、B不全为1时，uB1=1V，T2、T3截止,Y=1. 接入外接电阻R后： ②A、B全为1时，uB1=2.1V，T2、T3饱和导通，Y=0。 外接电阻R的取值范围为： OC门 （3.1.6） （3.1.7） ①E＝0时，D导通，T1和T2的基极均被钳制在低电平，因而T2～T5均截止，输出端开路，电路处于高阻状态。 结论：电路的输出有高阻态、高电平和低电平3种状态。 ②E＝1时，二极管D截止，TSL门的输出状态完全取决于输入信号A的状态，电路输出与输入的逻辑关系和一般反相器相同，即：Y=A，A＝0时Y＝1，为高电平；A＝1时Y＝0，为低电平。 ⑵三态非门（TSL门） 　 第3章 逻辑门电路 本章要讨论和解决的主要问题 1. 何谓逻辑门电路? 2. 逻辑门电路有哪些种类? ▲3. 门电路中的BJT 和MOS工作在何种状态? ▲4. TTL非门/与非门/ OC门/三态门的逻辑功能？ ▲5. MOS非门/与非门或非门/异或门的逻辑功能? 6.作业 ① 综述每次课程的基本内容 ② 习3.1.4 3.1.10 3.1.12 3.2.2 3.2.3 3.1 MOS逻辑门电路 3.1.1数字集成电路简介 1. MOS电路的由来 早期，人们研制出TTL电路，其优点是开关速度 较高，抗干扰能力和带负载能力都较强，缺点是功 耗较大。 后来，人们又研制出MOS电路。它具有制造工艺简单、功耗小、输入阻抗高、集成度高、电源电压范围宽等5优点，主要缺点是工作速度稍低，但随着集成工艺的不断改进，MOS电路的工作速度已有了大幅度的提高。 因此 目前MOS电路大有取代TTL电路之趋势。 　 　 ●逻辑门电路基本概念 逻辑门电路： 用以实现基本逻辑运算的电子 开关电路 逻辑0和1： 用电子电路中的高、低电平来表示 获得高/低电平的基本方法： 利用半导体元件的导 通与 截止（即 开与关）两种工作状态来实现，即: 逻辑门电路电路中的半导体器件一般都工作在 导通与截止两种状态 　 2. 集成CMOS逻辑门电路的系列 ① 基本的CMOS——4000系列。 ② 高速的CMOS——74HC系列。 ③ 与TTL兼容的高速CMOS——74HCT系列。 ④ 低压 ／ 超低压CMOS——74LVC/ 74AUC系列 ⑤ 军用品-——54HC和54HCT系列 3. 外形及封装（参见陈编《实训》P.38.） 工作原理电路 转移特性曲线 输出特性曲线 ui ui G D S RD +VDD G D S RD +VDD G D S RD +VDD 截止状态 uiUT uo=+VDD 导通状态 uiUT uo≈0 工作原理电路 转移特性曲线 图3.1.5 3.1.3 MOS开关及其等效电路 1. MOS管的开关作用 耗尽型多用于模电，增强型多用于数电。 ⑴ NMOS增强型（←向左者）: Vi﹤VT时， TN截止， V0＝VDD＝“1”； Vi﹥VT时， TN导通， V0≈ 0V ＝“0”。 ⑵ PMOS增强型（→向右者）: Vi﹤VT时， TP导通， V0≈ 0V ＝“0”。 Vi﹥VT时， TP截止， V0＝VDD＝“1”； 口诀: 低电平N止P通，高电平N通P止。 3.1.4 CMOS反相器: 工作原理及逻辑功能 （1）ui＝0V＝“0”时，TN截止，TP导通。输出 电压 u0＝VDD＝10V＝“1”，如图（b）所示。 （ 图3.1.8 ） 工作原理及逻辑功能 （2）ui＝10V＝“1”时，TN导通，TP截止， 输出电压 u0＝0V＝“0”，如图（b）所示。 因此，该电路实现了非运算: （ 图3.1