第4章 节 LM3S系列微控制器的系统控制单元 嵌入式计算机系统设计 .pptVIP

第4章 节 LM3S系列微控制器的系统控制单元 嵌入式计算机系统设计 .ppt

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第4章 节 LM3S系列微控制器的系统控制单元 嵌入式计算机系统设计 .ppt

处理器的4种模式 运行模式 睡眠模式 深度睡眠模式 休眠模式 Contex-M3处理器的3种睡眠机制 立即睡眠 退出后睡眠 深度睡眠 进入睡眠模式方式 处理器通过WFI指令请求进入睡眠模式 处理器通过WFE指令请求进入睡眠模式 处理器通过置位SLEEPONEXIT进入睡眠模式 与睡眠模式相关的寄存器 运行-模式0、睡眠-模式0、深度-睡眠模式0寄存器 运行-模式1、睡眠-模式1、深度-睡眠模式1寄存器 运行-模式2、睡眠-模式2、深度-睡眠模式2寄存器 深度睡眠时钟配置寄存器 (DSLPCLKCFG) 系统控制寄存器(NVICSC) 睡眠模式的设置步骤 自动时钟门控位ACG置为0,这样睡眠模式和深度睡眠模式的外设时钟可以单独控制 配置寄存器SCGC0、 SCGC1和SCGC2,设置睡眠模式下允许时钟的外设 如果想让处理区进入睡眠模式,调用WFI指令即可 深度睡眠模式设置步骤 自动时钟门控位ACG置为0这样睡眠模式和深度睡眠模式的外设时钟可以单独控制 配置寄存器DCGC0、 DCGC1和DCGC2,设置深度睡眠模式下允许外设的时钟 使能深度睡眠位SLEEPDEEP,使处理器休眠时进入深度睡眠模式 使能深度睡眠时钟配置寄存器DSLPCLKCFG的IOSC位,使处理器在深度睡眠期间将内部振荡器强制为时钟源 在完成上述配置后,如果想让处理区进入深度睡眠模式,调用WFI指令即可 第4章 LM3S系列微控制器的系统控制单元 4.6节 系统控制模块的中断 系统控制模块相关寄存器 原始中断状态寄存器(RIS),偏移量 0x050 中断屏蔽控制寄存器(IMC),偏移量 0x054 屏蔽后的中断状态和清零寄存器(MISC),偏移量 0x058 第4章 LM3S系列微控制器的系统控制单元 4.6节 休眠模块 休眠模块的特性 到个别外部稳压器的电源切换逻辑 用作外部信号唤醒的专门管脚 低电池电压检测、信号和中断产生 32位实时计数器(RTC) 2个32位的RTC匹配寄存器,用作定时唤醒和中断产生 时钟源来自一个32.768kHz的外部振荡器或一个4.194304MHz的晶体 RTC预分频器调整,对时钟速率进行良好地调节 64个32位字的非易失性存储器 可编程的RTC匹配、外部唤醒和低电池电压事件的中断 休眠模块的功能框图 休眠模块寄存器映射与访问时序 寄存器映射表 寄存器访问时序 休眠模块时钟源 休眠模块的时钟必须由外部时钟源提供 一个4.194304MHz的晶体被连接到 XOSC0 和XOSC1管脚之间 将一个32.768kHz的振荡器连接到XOSC0管脚以提供一个更精确的时钟源 休眠模块电池管理 休眠模块可以由电池或辅助电源单独供电 休眠模块也可以通过置位HIBCTL寄存器的LOWBATEN位配置成对低电池电压条件进行检测 休眠模块实时时钟 休眠RTC计数寄存器HIBRTCC 偏移量:0x000 休眠RTC匹配0寄存器,HIBRTCM0,偏移量:0x004 休眠RTC匹配1寄存器,HIBRTCM1,偏移量:0x008 Luminary Micro LM3S系列 32位ARM微控制器系统设计与实践 单 位:计算机科学学院计算机科学系 教 师:黄国兵 时 间:2013年 第4章 LM3S系列微控制器的系统控制单元 第4章 LM3S系列微控制器的系统控制单元 4.1节 系统控制寄存器 器件标识和功能寄存器 器件标识0寄存器(DID0),偏移量:0x000 器件标识1寄存器(DID1),偏移量:0x004 器件功能0寄存器(DC0),偏移量:0x008 器件功能1寄存器(DC1),偏移量:0x010 器件功能2寄存器(DC2),偏移量:0x014 器件功能3寄存器(DC3),偏移量:0x018 器件功能4寄存器(DC4),偏移量:0x01C 第4章 LM3S系列微控制器的系统控制单元 4.2节 复位控制 LM3S系列微控制器的5个复位源 外部复位输入管脚( RST )有效 上电复位(POR) 内部掉电复位(BOR) 软件复位 看门狗定时器复位 外部复位时序图 上电复位时序 控制器等待后来的外部复位(RST)或内部POR变为无效 在复位无效之后,必须允许晶体主振荡器稳定下来,控制器内部有一个主振荡器计数器对稳定所需时间(15~30ms)进行计数 内部复位释放,控制器加载初始堆栈指针、初始程序计数器、以及由程序计数器指定的第1条指令,然后开始执行 延长复位时间的外部电路 上电复位时序图 复位时间参数 掉电复位控制寄存器 位31:2; 0:保留 位1:BORIOR,R/W,BOR中断或复位 掉电复位时序 当VDD低于VBTH时,设置内部BOR条件 如果PBORCTL寄存器的BORWT位置位,一段时间之后重新采样BOR条件来确定原来

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