毫米波inalngan hemt栅结构优化与器件特性研究-optimization of millimeter wave inal ngan hemt gate structure and research on device characteristics.docx

摘要高频率、高功率一直以来都是 GaN 基 HEMT 器件研究的热点。InAlN/GaN HEMT 则着重于提高器件的电流增益截止频率（fT）。InAlN 具有极强的自发极化 效应，能产生浓度高于 AlGaN/GaN 异质结的二维电子气。即使器件栅长缩短到深 亚微米数量级，依然具有较大的器件纵横比（Lg/tbar），从而避免器件栅极控制能 力的减弱。因此，毫米波 InAlN/GaN HEMT 比 AlGaN/GaN HEMT 更适合高频方 面的应用。本论文借助二维数值仿真工具 Sentaurus TCAD 对栅长缩短造成 InAlN/GaN HEMT 的短沟道效应的原因进行了深入分析，发现漏致势垒降低（DIBL）和栅极 下方沟道电势的二维分布是栅极缩短时引起短沟道效应的主要原因。当器件的栅 长 Lg 大于 120nm 时，缩短栅长可以有效提高 fT；当栅长小于 60nm 时，缩短栅长 的方法对 fT 的提升已经没有明显的效果了。为了设计合适的栅极结构从而提高器件的 fT，分别对 T 型栅、τ 型栅和 Γ 型栅结构的 InAlN/GaN HEMT 进行仿真优化。分析发现栅极场板会减小器件的 fT，对 fmax 却有一定的提升。若要通过采用场板结构提高器件的 fmax，可尽量增大靠近源 极一端的栅极场板长度。并且使用较高的栅跟高度和较大的栅源距可以有效地改 善器件的频率特性。然而，器件的击穿电压会随着栅源距的增大而减小。所以若 想使器件同时具备较好的频率特性和击穿特性，必须要折中考虑，从而选择较为 合理的栅极位置。在上述理论研究和仿真分析的基础上，提出了新型复合金属栅（CMG）结构 的 GaN 基 HEMT 器件。其利用不同功函数的栅极金属在栅极下方的沟道内形成阶 梯形电势分布，抬高了靠近漏极一端的栅极电势，屏蔽了漏极电势对沟道的影响， 从而有助于抑制短沟道效应。同时，金属界面间形成的峰值电场能提高栅下电子 的平均速率，从而改善电子传输效率，提高直流特性，并且栅极电容的减小和直 流跨导的提高又能提高器件的频率特性。并且这些性能的改善随着构成栅极金属 的种类增多而越明显。基于 Lombardi 迁移率模型对栅长为 200nm 的 InAlN/GaN HEMT 进行了实验 与仿真的对比分析。当栅源电压为 2V 时，器件的最大饱和输出电流为 500mA/mm。 fT 和 fmax 分别为 65.8GHz 和 143.6GHz。利用 Lombardi 迁移率模型分析了界面粗糙 度散射对器件的影响。结果表明，异质结界面粗糙度散射缩短了沟道电子的平均 传输寿命，使平均电子迁移率减小，从而导致器件的饱和电流和跨导分别减小 57%和 69%，fT 和 fmax 分别降低 58%和 74%。关键词：InAlN/GaN HEMT，截止频率，短沟道效应，栅结构，Lombardi 模型ABSTRACTHigh frequency and high power are hotspots of GaN-based HEMT device all the time. And the most important for InAlN/GaN HEMT is to improve the current gain cutoff frequency (fT). InAlN has so strong spontaneous polarization effect that it can generate two-dimensional electron gas which has a higher density than AlGaN/GaN heterojunction does. Bigger aspect ratio is possible for InAlN/GaN HEMT even when the gate length is scaled to deep submicron. So it can avoid gate control ability degradation. Obviously, millimeter-wave InAlN/GaN HEMT is better than AlGaN/GaN HEMT in high frequency application.Analysis of the the reasons that cause short channel effects (SCEs) by gate length scaling have been done with two-dimensional numerical simulation tool Sentaurus TCAD. It reavels that, drain