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电子元器件失效分析技术Failure Analysis 一、电子元器件失效分析技术 1.1、失效分析的基本概念 1.2、失效分析的重要意义 1.3、失效分析的一般程序 1.4、收集失效现场数据 1.5、以失效分析为目的的电测技术 1.6、无损失效分析技术 1.7、样品制备技术 1.8、显微形貌像技术 1.9、以测量电压效应为基础的失效定位技术 1.10、以测量电流效应为基础的失效定位技术 1.11、电子元器件化学成份分析技术 1.1 失效分析的基本概念 目的： 确定失效模式和失效机理，提出纠正措施，防止这种失效模式和失效机理重复出现。 失效模式：指观察到的失效现象、失效形式，如开路、短路、参数漂移、功能失效等。 失效机理：指失效的物理化学过程，如疲劳、腐蚀和过应力等。 引起开路失效的主要原因： 过电损伤、静电击穿（SEM、图示仪）、金属电迁移、金属的化学腐蚀、压焊点脱落、闩锁效应。 其中淀积Al时提高硅片的温度可以提高Al原子的晶块体积，可以改善电迁移。 典型的闩锁效应电源对地的I－V曲线 引起漏电和短路失效的主要原因： 颗粒引发短路、介质击穿、PN结微等离子击穿、Si－Al互溶 引起参数漂移的主要原因： 封装内水汽凝结、介质的离子粘污、欧姆接触退化、金属电迁移、辐射损伤 例： Pad点处无钝化层，有水汽的话，会导致短路，水汽蒸发后又恢复绝缘性，表现为工作时参数不稳定