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第八章 刻蚀(Etching) §8.1 引言 §8.2 湿法腐蚀技术 §8.3 干法刻蚀技术 §8.1 引言 在淀积薄膜后，需要通过刻蚀，选择性地除去一些薄膜，以留下需要的图形。 a)刻蚀在横向(lateral)和纵向(Vertical)同时发生。 b)会出现光刻胶的钻蚀(erode) c)刻蚀剂会腐蚀衬底从而改变衬底形貌 刻蚀特性 刻蚀的方向性(directionality) 刻蚀的选择性(Selectivity) Rf :对薄膜(film)的刻蚀速率 Rm：对掩膜版(mask)或衬底的刻蚀速率 一般要求Sfm~25-50之间比较合理。 S值的大小和工艺参数相关： 湿法刻蚀过程：和腐蚀剂化学、浓度、温度等 有关 干法刻蚀过程：和等离子体参数、等离子体化学、气压、气体流量等有关 过腐蚀 overetch 如超过Ws=Wr这一点还继续进行腐蚀，就出现过腐蚀 ? 一般情况，都要求过腐蚀，以保证所有窗口干净 ? 有些情况需过腐蚀，弥补薄膜的不均匀性 ULSI对腐蚀的要求 得到满意的剖面(desired profile) 最小的过腐蚀(undercut) 或偏差 (bias) 选择性好（Selectivity) 均匀性好，可重复性好 (Uniform and reproducible) 对表面和电路损伤最小(Minimal damage to surface and circuit) 干净、安全、经济 (Clean, economical, and safe) 刻蚀的掩膜版：Resist, Oxide/Nitride,其他 两种刻蚀方法： 湿法刻蚀 (Wet Etch)纯化学过程。把硅片浸在腐蚀液中 干法刻蚀 (Dry Etch)在等离子体(plasma)中利用气相腐蚀 §8.2 湿法腐蚀 湿法腐蚀的缺点 (1)湿法腐蚀需大量的腐蚀性化学试剂，对人体和环境有害 在ULSI电路制造中，湿法腐蚀正被干法刻蚀所替代。 (2)湿法腐蚀需大量的化学试剂去冲洗腐蚀剂剩余物，不经济 (3)干法腐蚀能达到高的分辨率，湿法腐蚀较差 (4)湿法腐蚀是各向同性，干法可以是各向异性 §8.3 干法刻蚀 Dry etching 等离子体刻蚀 Plasma Etching 溅射腐蚀和离子束腐蚀 反应离子刻蚀(RIE) ULSI制造中,干法腐蚀需满足: (1)获得无钻蚀的各向异性腐蚀剖面,Af0.8 (2) 均匀性好于5%(包括衬底、膜、抗蚀剂) (3)选择性S大于 8 (4) 片与片之间的重复性好于5％ (5) 腐蚀温度低，不得大于125OC (6) 辐射损伤小 (7)能连续加工 1. 等离子体刻蚀 Plasma Etching 依靠高频辉光放电形成的化学活性游离基与被腐蚀材料发生化学反应的一种选择性腐蚀方法 等离子体反应(Plasma reaction) 离子增强刻蚀-Ion Enhanced etching 等离子体刻蚀的化学和物理过程并不是两个相互独立的过程，而且相互有增强作用 (a)筒式(Barrel Etchers) 纯化学反应 多孔屏蔽罩 使等离子体区域在罩和器壁 之间发生，靠长寿命活性基扩散进入内层 与样品进行反应 优点：产量大，选择性好，没有辐照损伤 缺点：各向同性腐蚀，只适用于5um以上工艺，工艺参数难控制，均匀性，重复性差 常用于光刻胶去胶和对Si3N4钝化层开窗口 (B) 平行板式 Parallel plate system 上电极是射频功率电极，硅片放在接地的下电极。这是等离子体腐蚀方式，反应室内压力一般为0.1－10托 主要特点： 主要是化学反应过程，由于兼有离子溅射作用，所以具有一定程度各向异性，可用于较细线条(2um)工艺。如腐蚀Si，多晶硅，氧化硅，氮化硅及某些金属 选择性高 均匀性、重复性、温度控制比园筒反应器好 缺点是容量小，腐蚀损伤较为严重 高密度等离子体刻蚀-High Density Plasma Etching 非常高密度等离子体(1011-1012ions/cm3) ECR源或ICP源 刻蚀速率快、方向性好、低离子能量，损伤少，因此被广泛应用 2. 溅射腐蚀和离子束腐蚀Sputter etching and ion milling 纯物理过程 方向性好，选择性差 几乎可以刻蚀任何物质 用Ar＋离子束 可能会出现表面损伤 物理刻蚀－Physical Etch 离子刻蚀（右）方向性更强。 由于所有的材料同时被刻蚀，因此选择性不好。 物理刻蚀对表面造成损伤。损伤程度和离子能量有关。 3.反应离子刻蚀(RIE) 是物理溅射和化学反应的综合结果 (1)用分子气体放电代替溅射腐蚀用的惰性气体，采用等离子体腐蚀用的气