第7章磁敏传感器霍尔式.ppt

在磁场中，电流的流动路径会因磁场的作用而加长，使得材料的电阻率增加。若某种金属或半导体材料的两种载流子 (电子和空穴 )的迁移率十分悬殊，主要由迁移率较大的一种载流子引起电阻率变化 ,它可表示为： Ｂ——为磁感应强度； ρ——材料在磁感应强度为Ｂ时的电阻率； ρ0 ——材料在磁感应强度为0时的电阻率； μ——载流子的迁移率。 第64页/共73页 当材料中仅存在一种载流子时磁阻效应几乎可以忽略，此时霍耳效应更为强烈。若在电子和空穴都存在的材料（如InSb）中，则磁阻效应很强。 磁阻效应还与样品的形状、尺寸密切相关。这种与样品形状、尺寸有关的磁阻效应称为磁阻效应的几何磁阻效应。 长方形磁阻器件只有在L(长度)W（宽度）的条件下，才表现出较高的灵敏度。把LW的扁平器件串联起来，就会零磁场电阻值较大、灵敏度较高的磁阻器件。 第65页/共73页 图2.6-38（a）是没有栅格的情况，电流只在电极附近偏转，电阻增加很小。在LW长方形磁阻材料上面制作许多平行等间距的金属条（即短路栅格），以短路霍耳电势，这种栅格磁阻器件如图2.6-38（b）所示，就相当于许多扁条状磁阻串联。所以栅格磁阻器件既增加了零磁场电阻值、又提高了磁 L W B B 图2.6-38 几何磁阻效应 I I （a （b 阻器件的灵敏度。 常用的磁阻元件有半导体磁阻元件和强磁磁阻元件。其内部有制作成半桥或全桥等多种形式。 第66页/共73页 1 灵敏度特性 磁阻元件的灵敏度特性是用在一定磁场强度下的电阻变化率来表示，即磁场——电阻特性的斜率。常用K表示，单位为mV/mA.kG即Ω.Kg。在运算时常用RB/R0求得，R0表示无磁场情况下，磁阻元件的电阻值，RB为在施加0.3T磁感应强度时磁阻元件表现出来的电阻值，这种情况下，一般磁阻元件的灵敏度大于2.7。 （二）? 磁阻元件的主要特性 第67页/共73页 2 磁场—电阻特性 磁阻元件磁场—电阻特性 N级 0.3 0.2 0.1 0 0.1 0.2 0.3 R/Ω 1000 500 S级 (a) S、N级之间电阻特性 B/T 15 RB R0 10 5 温度(25℃) 弱磁场下呈平方特性变化 强场下呈直线特性变化 0 (b)电阻变化率特性 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 B/T 磁阻元件的电阻值与磁场的极性无关，它只随磁场强度的增加而增加 在0.1T以下的弱磁场中，曲线呈现平方特性，而超过0.1T后呈现线性变化 第68页/共73页 图2.6-40 强磁磁阻元件电阻-磁场特性曲线 输出电压V 磁饱和点 B=Bs 0 (b)磁场—输出特性 H 第69页/共73页 图2.6-40显示的是强磁磁阻元件的磁场——电阻特性曲线。 从图中可以看出它与图2.6-39（a）曲线相反，即随着磁场的增加，电阻值减少。并且在磁通密度达数十到数百高斯即饱和。一般电阻变化为百分之几。 第70页/共73页 3 电阻——温度特性 图2.6-41是一般半导体磁阻元件的电阻——温度特性曲线，从图中可以看出，半导体磁阻元件 103 8 4 2 102 4 2 10 6 -40 0 20 60 100 温度/℃ 电阻变化率% 图2.6-41 半导体元件电阻-温度特性曲线 的温度特性不好。图中的电阻值在35℃的变化范围内减小了1/2。因此，在应用时，一般都要设计温度补偿电路。 第71页/共73页 图2.6-42是强磁磁阻元件的电阻——温度特性曲线，图中给出了采用恒流、恒压供电方式时的温度特性。 130 100 50 电阻变化率% -30 BX10-4/T 电阻 +3500ppm/℃ 0 输出(恒流工作) -500ppm/℃ 输出(恒压工作) -300ppm/℃ 图2.6-42 强磁阻元件电阻-磁场特性曲线 可以看出，采用恒压供电时，可以获得–500ppm/℃的良好温度特性，而采用恒流供电时却高达3500 ppm/℃。但是由于强磁磁阻元件为开关方式工作，因此常用恒压方式。 60 第72页/共73页 （三）磁敏电阻的应用 磁敏电阻可以用来作为电流传感器、磁敏接近开关、角速度/角位移传感器、磁场传感器等。可用于开关电源、UPS、变频器、伺服马达驱动器、家庭网络智能化管理、电度表、电子仪器仪表、工业自动化、智能机器人、电梯、智能住宅、机床、工业设备、断路器、防爆电机保护器、家用电器、电子产品、电力自动化、医疗设备、机床、远程抄表、仪器、自动测量、地磁场的测量、探矿等。 第73页/共73页 * 早在19世纪70年代，发现了霍耳效应。