第21讲电性.ppt

研究铜-锌-硅合金马氏体转变 热弹马氏体相变： 形成马氏体R升高 马氏体消失R下降 R T / K 第63页/共71页 复习题 何谓禁带？金属，半导体和绝缘体的能带结构有何不同？ 实际晶体为何存在电阻？电子在晶体中主要受到哪几种散射？ 何谓马基申定律？什么量可以用来评定金属的电学纯度？ 材料电阻的测量方法有几种？绝缘体，半导体及金属电阻分别采用什么方法测量？ 第64页/共71页 超导体的超导电性 第65页/共71页 高温超导体晶体结构 第66页/共71页 超导材料工业技术进展 一、高温超导带材 二、高温超导薄膜 三、高温超导块材 第67页/共71页 超导材料工业 厂商：美国超导；住友电气；德国EAS；澳大利亚超导；德国TRITHOR。 线材基体：银合金；银镁合金；银合金钢带增强。 临界电流(A)：60，70，100，115，135. 工程电流密度(A/cm2)：6500，9200，13000. 弯曲半径(mm)：30，35，50. 拉伸应力(MPa)：65，100，265 . 第68页/共71页 I N S N S N S TTc, B≠0 I=0 TTc, B≠0 I=0 TTc, H=0 I≠0 1986年，IBM公司的Muller,Bednorz摆脱了在金属及合金的中寻找超导体的 思想，在金属氧化物中找到了突破口。Tc=35K, Ba-La-Cu-O系陶瓷 (3). 超导体的超导电性 超导体环放入磁场中，在T﹥Tc时，环中无电流。 在磁场中冷却到Tc以下，仍无电流。 在Tc以下突然除去磁场，环中感应出电流。 完全的导电性：（荷兰H.K.Onnes在1911年T=4K汞的实验） 第69页/共71页 完全的抗磁性： （ 迈斯纳Meissner Effect）（a). 先将 T 冷却到Tc以下，然后加磁场，发现磁场不能进入超导体；(b). 将处在磁场中 的超导体从室温冷却到Tc以下，发现磁场被排出。 TTc, H=0 TTc, H≠0 TTc, H≠0 TTc, H≠0 解释：外磁场在 表面产生感应电 流I，若R=0，则 I产生的附加磁场 抵消外磁场。I也 称抗磁感应电流 ，或屏蔽电流。 第70页/共71页 机理： 1957年，Bardeen-Cooper-Sehriffer提出BCS理论认为，超导态时电子间存在特殊的静电引力，使动量和自旋方向相反的两个电子结成对库珀对，电子声子作用，使电子对免受声子散射而进入超导态。但BCS理论不能解释高于35KTc的超导性。新的理论有待出现。 I I 超导体 V I U 0 第71页/共71页 理想晶体点阵: ρ=0 (T=0 K) 实际晶体: 电子散射和声子散射+杂质和缺陷散射 固溶体电阻率ρ=基本电阻ρ(T)+残余电阻率(ρ残) 马基申定律: ρ=ρ(T)+ρ残 残余电阻率(ρ残): 反映金属的纯度和完整性 ρ(300 K)/ρ(4.2 K) 金属及合金的电阻 第31页/共71页 载流子浓度 根据能带理论，只有导带中的电子或价带之间的空穴才能参与导电。 金属、半导体和绝缘体的能带结构 第32页/共71页 杂质半导体中的载流子浓度 Ef Ec ED Ev + + Ef Ev Ec EA n型半导体 p型半导体 n型与p型半导体能带结构 施主能级 受主能级 第33页/共71页 半导体和绝缘体的能带结构 载流子浓度 第34页/共71页 载流子浓度 本征半导体中的载流子浓度 本征半导体的能带结构 第35页/共71页 2.4 影响材料导电性的因素 电子电导: 金属材料电导率随温度的升高而下降. 离子电导: 离子晶体型陶瓷材料电导率却随温度的升高而上升. 2.4.1 温度的影响 第36页/共71页 加热: 使点阵热振动加剧，出现相变，回复，空位退火，再结晶，合金相成分和组织的变化。电阻是这些现象较敏感的方法。 温度:使离子振动加剧，散射几率增加，电子平均自由程减小。对有效电子数影响不大. (1). 温度对金属电阻的影响 第37页/共71页 一般规律： T/K ρ 2 20~30 T2 T5 T 理想金属晶体 含有杂质金属 含有晶体缺陷 T/K ρ 第38页/共71页 本征半导体中的载流子浓度 本征半导体的能带结构 (2).温度对半导体电阻的影响 第39页/共71页 传导电子: 从s-壳层向d -壳层过渡。 非线性变化：存在空穴导电机制，因S-壳层基本被填满。 在850~900 ℃高温区: 多晶型转变来解释。 过渡族金属和多晶型转变 ρ T/℃ 400 800 Ti Zr 第40页/共71页 铁磁金属的R-T关系反常 dρ/dT ρ /ρθ 500 T/℃ Ni Pd -100 R dR/dT θ θ 铁磁 顺磁 第41页/共71页 2.4.2 受力情况对电阻的影响