第四章 薄膜的形成及生长.pptxVIP

第四章 薄膜的形成及生长 ;§4.1 薄膜生长过程概述;图4.1;薄膜形成过程的三个阶段;★凝结过程;█ 化学吸附时，由于化学健力的作用距离较小，所以化学吸附的原子与基片表面间的距离仅为0.1nm-0.3 nm. █ 由于原子间的范德华力是普遍存在的，所以各种固体和液体材料的表面都发生物理吸附； █ 因为物理吸附能较小，对于物理吸附来说，一般是在低温下发生吸附，高温下发生解吸附； █ 范德华力的作用范围大于化学健力的范围，因而一般是先发生物理吸附，而后才转为 化学吸附。对于一个吸附层来说，若第一个氮原子（或单分子）层或前几个单原子层是化学吸附，以后的单原子层则转为物理吸附； █ 由于物理吸附不需要活化能，所以吸附过程很快，并且吸附速率随基片温度及被吸附气体的压力变化很快。;3.吸附能和解吸能 ? 固体表面的特殊状态使它具有一种过量的能量称为表面自由能。吸附使表面能减小； ? 基片表面是固体和气体的分界面，界面两边原子的密度和性质不同，在基片表面有表面位能。这是处在基片表面上的一个原子与其内部同样一个原子的能量之差； ? 基片表面上原子受两个力的作用：一是气体原子的作用力，另一个是基片原子的作用力。基片原子密度大于气体，所以后一个力远大于前者。表面原子有向内移动的倾向，试图降低其位能。 ? 伴随吸附现象而释放的能量称为吸附能。 将吸附在固体表面上的气体原子除掉称为解吸（脱附）； 除掉被吸附气相原子的能量称为解吸能。 ;4.具有一定能量的气相原子，到达基片表面之后可能发生三种现象： 吸附、解吸、反射(1) 与基体表面原子进行能量交换被吸附；(2) 吸附后气相原子仍有较大的解吸能，在基体表面作短暂停留后再解吸蒸发；(3) 与基体表面不进行能量交换，入射到基体表面上立即发射回去。;? 如果入射原子到达基体表面后在法线方向上仍然保留有相当大的动能，在基体表面 仅作短暂停留（约10-2秒），没有能量交换，将立即发射回去。;二. 核形成与生长;(2)单层成长形式(Frank-Vander Merwe形式） 当被沉积物与衬???间的润湿性很好 ，被沉积物的原子跟倾向于与衬底原子键合。沉积原子在基片表面均匀覆盖，以单原子层的形式逐次形成薄膜。 此模式下，无明确的形核阶段出现，每层原子都自发铺在衬底或薄膜的表面，从而降低系统的总能量。像 PbSe/PbS, Au/Pd, Fe/Cu等系统中可见。 (3) 层岛结合模式(Stranski-Krastanov) 该类型是在最初1-2层的单原子层沉积后，再以成核、核再长大方式形成薄膜（先层状，后岛状）。一般在清洁的金属表面上沉积金属时易发生。 在Cd/W/，Cd/Ge等系统属这种模式。;物理机制：生长过程中各种能量的相互消长;4.3;§4.2 成核理论;1.热力学界面能理论 基本思想：将一般气体在固体表面凝结形成微液滴的核形成 理论(类似于毛细管润湿）应用于薄膜形成过程的核形成研究。 热力学界面能理论采用蒸气压、界面能和润湿角等宏观物理量， 从热力学角度处理核形成问题。 热力学基本概念 热力学理论认为： ◆ 所有的相转变都使物质体系的自由能下降； ◆ 相变过程中，体系自由能下降，新相和旧相界面自由能上升； ◆ 体系的总自由能变化由两者之和来决定； ◆ 体系总自由能变化▽G可表示为： ▽G= ▽Gv(↓)+ ▽Gs(↑)=V* ▽Gv+s*σ, 其中， ▽G—体系总自由能变化，V—固相体积， S-固液相界面面积， ▽Gv —固相单位体积自由能变化， σ —界面单位面积自由能 ;(b) 临界核尺寸;▽G= ▽Gv(↓)+ ▽Gs(↑)=;(b)成核速率 定义：成核速率是指形成稳定核的速率或临界核长大的速率，即单位时间内在单位 基体表面上形成稳定核的数量。 讨论： ? 各种凝结的小原子团、聚集体及临界核等都处在结合-分解的动态平衡中； ?根据外界条件的不同，结合与分解各占不同的优势。在适当的沉积条件下，达到动 态平衡之后，单位基体表面上临界核的数目就保持不变。 █临界核长大的途径可有两个： (1) 入射的蒸发气相原子直接与临界核碰撞结合； (2) 吸附原子在基体表面上扩散迁移碰撞结合。 █若基体表面上临界核的数量较少，临界核长大的主要途径：依赖于吸附原子的表面 扩散迁移碰撞结合。 █ 成核速率与单位面积上临界核数量，每个临界核的捕获范围和所有吸附原子向临界 核运动的总速度有关。 ;热力学界面理论缺点： 由于热力学界面理论将宏观物理量用到微观成核理论造成求出的理论核临界核半径与 实际情况有较大差异。;原子聚集理