电力电子技术与器件应用(第二章).pdfVIP

电力电子技术与器件应用 第二章 电力电子开关原 理与使用 教材 本章重点 主回路电路问题 单个电力电子开关 多个使用问题 驱动和保护 器件的分析方法  先:简化抽象为理想开关,体现主要通用的特性  后:实际器件:具体物理特点 图2-1 理想开关与电感线圈串联的情况 图2-2 理想开关与电容串联的情况 图2-3 各种开关过程汇总 图2-4 电力电子开关损耗波形示意图 图2-5 各种实际开关类型 电力晶体管名称的说明与电力晶体管的特点  通常叫法“三极管”不准确  应该叫:双极结型晶体管( （bipolar junction transistor,BJT ）  电力晶体管（giant transistor,GTR ）是一种耐压较 高电流较大的双极结型晶体管（BJT ），与英文名也 不一样 电力场效应管的结构特点  电力场效应晶体管采用多单元集成结构。  电力场效应晶体管大多采用垂直导电结构。 图2-10 电力场效应晶体管结构与符号 图2-11 主要参数  （1）通态电阻Ron 。指在确定的栅压UGS时， MOSFET从非饱和区进入饱和区时的漏源极间等效 电阻，通态电阻Ron受温度变化的影响很大，并且耐 压高的器件Ron也较大，管压降也较大，因此它不易 制成高压器件。  （4）栅极击穿电压BUGS 。一般栅源电压UGS 的极限 值为±20V。 注意事项  （3）MOS场效应管由于输入阻抗极高，所以在运输、贮 藏中必须将引出脚短路，要用金属屏蔽包装，以防止外来 感应电势将栅极击穿。尤其要注意，不能将MOS场效应 管放人塑料盒子内，保存时最好放在金属盒内，同时也要 注意管的防潮。  （4 ）为了防止场效应管栅极感应击穿，要求一切测试仪 器、工作台、电烙铁、线路本身都必须有良好的接地；管 脚在焊接时，先焊源极；在连入电路之前，管的全部引线 端保持互相短接状态，焊接完后才把短接材料去掉；从元 器件架上取下管时，应以适当的方式确保人体接地如采用 接地环等；当然，如果能采用先进的气热型电烙铁，焊接 场效应管是比较方便的，并且确保安全；在未关断电源时， 绝对不可以把管插人电路或从电路中拔出。以上安全措施 在使用场效应管时必须注意。 绝缘栅双极晶体管  绝缘栅双极型晶体管（insulated gate bipolar transistor,IGBT ）是一种复合型器件，它的输入部 分为MOSFET ，输出部分为双极型晶体管，  因此它兼有MOSFET高输入阻抗、电压控制、驱动 功率小、开关速度快、工作频率高（IGBT工作频率 可达10~50kHz）的特点和GTR 电压电流容量大的特 点，  克服了MOSFET管压降大和GTR驱动功率大的缺点，  故在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。 图2-16 IGBT的等效电路和图型符号 图2-18 理想的GTR基极驱动电流波形 i b O t 图2-19 GTR的一种驱动电路 +15V +10V R C1 R4 3 A V R2 1 V 4 V3 V5 C2 VD2