项目四 全控型电力电子器件与开关电源 电力电子技术 知识课件.ppt

全控型器件与开关电源 一、GTO——门极可关断晶闸管 二、GTR——电力晶体管 三、MOSFET——电力场效应晶体管 四、直流斩波电路 一、 门极可关断（GTO）晶闸管 1. 结构 与普通晶闸管的相同点：PNPN四层半导体结构，外部引出阳极、阴极和门极； 和普通晶闸管的不同点：GTO是一种多元的功率集成器件，内部包含数十个甚至数百个共阳极的小GTO元，这些GTO元的阴极和门极则在器件内部并联在一起。 2. 导通关断条件 导通：同晶闸管，AK正偏，GK正偏 关断：门极加负脉冲电流 3.特点 全控型 容量大 ?off≈5 电流控制型　 电流关断增益?off ： 最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值IGM之比称为电流关断增益 1000A的GTO关断时门极负脉冲电流峰值要200A 。 二 、 GTR——电力晶体管 电力晶体管GTR （Giant Transistor，巨型晶体管） 耐高电压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor——BJT），英文有时候也称为Power BJT 在电力电子技术的范围内，GTR与BJT这两个名称等效。 ??应用 20世纪80年代以来，在中、小功率范围内取代晶闸管，但目前又大多被IGBT和电力MOSFET取代 3．GTR 模块 将 GTR管芯、稳定电阻、加速二极管、续流二极管等组装成一个单元，然后根据不同用途将几个单元电路组装在一个外壳之内构成GTR模块。 目前生产的GTR模块可将多达6个互相绝缘的单元电路做在同一模块内，可很方便地组成三相桥式电路。 3. GTR的二次击穿现象 一次击穿 集电极电压升高至击穿电压时，Ic迅速增大，出现雪崩击穿； 只要Ic不超过限度，GTR一般不会损坏，工作特性也不变。 二次击穿 一次击穿发生时，如果继续增高外接电压，则Ic继续增大，当达到某个临界点时，Uce会突然降低至一个小值，同时导致Ic急剧上升，这种现象称为二次击穿， 二次击穿的持续时间很短，一般在纳秒至微秒范围，常常立即导致器件的永久损坏。必需避免。 安全工作区 防止二次击穿，采用保护电路，同时考虑器件的安全裕量，尽量使GTR工作在安全工作区。 4.特点 全控型，电流控制型 二次击穿（工作时要防止） 中大容量，开关频率较低 三、 功率场效应晶体管（MOSFET） G： 栅极 D： 漏极 S： 源极 电力MOSFET的结构和电气图形符号 a) 内部结构断面示意图 b) 电气图形符号 1.导通关断条件 漏源极导通条件：在栅源极间加正电压UGS 漏源极关断条件：栅源极间电压UGS为零 2.特点 控制级输入阻抗大 驱动电流小 防止静电感应击穿 中小容量，开关频率高 导通压降大（不足） 四、直流斩波电路 直流斩波电路：将一个固定的直流电压变换成大小可变的直流电压的电路。也称之为直流变换电路。 直流斩波技术的应用：被广泛应用于开关电源及直流电动机驱动中，如不间断电源(UPS)、无轨电车、地铁列车、蓄电池供电的机动车辆的无级变速及电动汽车的控制。从而使上述控制获得加速平稳、快速响应的性能，并同时收到节约电能的效果。 图4-1 直流变换系统的结构图 1、降压式斩波变换电路 1.1、基本斩波器的工作原理 降压式斩波电路的输出电压平均值低于 输入直流电压Ud 。 最基本的降压式斩波电路如图4-2所示： Q为斩波开关，是斩波电路中的关键功率 器件，它可用普通型晶闸管、可关断晶 闸管GTO或者其它自关断器件来实现。 图4-2基本斩波电路和波形 Q交替通断，在负载上就可得到方 波电压。 1、降压式斩波变换电路 若定义斩波器的占空比k=ton/T ,则由波形图上可获得输出电压平均值为 由上式可知，当占空比k从0变到１时，输出电压平均值从0变到Ud。占空比k的改变可以通过改变ton或T来实现。 斩波电路三种控制方式 T不变，变ton —脉冲宽度调制（PWM） ton不变，变T —频率调制 ton和T都可调，改变占空比—混合型 1、降压式斩波变换电路 实际应用中负载多为电感性，多采用如图4-3所示电路。 稳态分析表明，若输出端上的电容C很大，则输出电压可近似为常数uo(t)≈UO。由于稳态时电容器的平均电流为零，因而电感中的平均电流等于输出平均电流。根据电感中的电流连续与否，以下分别对电流连续和电流不连续（断续）的两种工作模式进行讨论。 图4-3 带感性负载的斩波电路 1、降压式斩波变换电路 1.2、电流连续的导通工作模式 图4-4 降压式斩波器的电路工作状态 V导通 V关断 一周期内 1、降压式斩波变换电路 在电流连续导通工作模式状态下，降压式变换电路等效于一个直流变压器，其等