单片机第6章__MCS-51系列单片机的扩展技术知识.pptVIP

外部存储器的扩展技术 并行接口的扩展技术; 在很多复杂的应用情况下，单片机内的RAM、ROM和I/O接口不够使用时，就需要进行扩展。 单片机的系统扩展主要是指外接程序存储器、数据存储器或I/O接口等，以满足应用系统的需要。; 单片机是通过地址总线，数据总线和控制总线与外部交换信息的。MCS-51单片机的总线接口信号见图。;(1) 地址总线A0～A15 地址总线的高8位是由P2口提供的，低8位是由P0口提供的。 在访问外部存储器时，由地址锁存信号ALE的下降沿把P0口的低8位以及P2口的高8位锁存至地址锁存器中，从而构成系统的16位地址总线。 (2) 数据总线D0～D7 数据总线是由P0口提供的，因为P0口线既用作地址线，又用作数据线(分时使用)，因此，需要加一个8位锁存器。 ;(3) 控制总线 系统控制总线共12根，既P3口的第二功能再加上RESET、EA、ALE和PSEN。实际应用中的常用控制信号如下。 使用ALE作为地址锁存的选通信号，以实现低8位地址的锁存。 以PSEN信号作为扩展程序存储器的读选通信号,在取指令码时或执行MOVC指令时变为有效。。 以EA信号作为内、外程序存储器的选择信号。 以RD和WR作为扩展数据存储器和I/O端口的读、写选通信号。执行MOVX指令时，这两个信号分别自动有效。 ;2.外部程序存储器的连接方法 三总线分别连接; 单片机外部扩展常用程序存储器芯片为EPROM，其掉电后信 息不会丢失，且只有在紫外线的照射下，存储器的单元信息才可 擦除。 用作扩展的EPROM主要是27系列，如2716、2732、2764、 27128、7256等，其中高位数字27表示该芯片是EPROM，低位数字 表明存储容量，如2716表示16K个存储位，亦即字节容量为2K的 EPROM。 常用的还有EEPROM ，即28系列，如2816/2817、2864等，型号含 义同上。 ; EPROM除2716外均为28线双列直插式封装，各引脚定义如下。 A0～Ai：地址输入线，i=12～15。 D0～Di：三态数据总线，读或编程校验时为数据输出线，编程 时为数据输入线。其余时间呈高阻状态。 PGM：编程脉冲输入线。 OE：读出选通线，低电平有效。 CE：片选线，低电平有效。 VPP：编程电源线，其值因芯片及制作厂商而异。 VCC：电源??，接+5V电源。 GND：接地。;74LS373为8D锁存器在ALE下跳沿锁存地址，高位地址直接相连。 只扩展了一片EPROM，片选端接地。 PSEN的下降沿使OE有效，由A0～A12指定的单元指令码从D0～D7输出。 P0读入指令到单片机, 经译码执行。;? 单片机扩展2716，2732，27128等EPROM的方法与上图相同，差别仅在于不同的芯片的存储容量不同，因而使用高8位地址的P2端口线的根数不同。 扩展2716（2KB）需使用A8～A10 三条高位地址线 扩展2732（4KB）需要A8～A11 四条高位地址线。 扩展27128（16KB)需要A8～A13六条高位地址线。 注意：2764和27128的PGM引脚应接Vcc。;（2）E2PROM存储器及扩展电路 电可擦除只读存储器EEPROM的特点如下： 单+5V供电，电可擦除可改写。 使用次数为1万次，信息保存时间为10年。 读出时间为ns级，写入时间为ms级。 芯片引脚信号与相应的RAM和EPROM芯片兼容。;74LS373为8D锁存器在ALE下跳沿锁存地址，高位地址直接相连。 只扩展了一片EEPROM，片选端接地。 PSEN和RD相与后与OE相连，支持读指令和读数据操作。 WR和WE相连，支持写数据操作。;（3）多存储器片选方法 ① 线选法 所谓线选法，就是把单根高位地址线直接加在存贮器芯片的CE端。线选法的优点是连接简单，不必附加逻辑，但扩展的存贮芯片地址不连续。 ; ② 译码法（全译码） 译码法能提供全部64KB地址空间，且扩展的存贮器芯片地址是连续的。 ;6.1.2 外部数据存储器的扩展技术;外部数据存储器的读周期 ;外部数据存储器的写周期;2. 外部数据存储器的连接方法 注意：外部数据存储器由RD或WR选通，可读可写；;3. 外部数据存储器的扩展 ;完成外部数据存储器RAM读写操作的两种方式： 例如把累加器A的内容写入外部存储器RAM的02F3H单元中，可有如下两种程序： 第一种：MOV P2，#02H ；端口提供高8位地址 MOV R0，＃0