金属氧化物平板气体传感器的制造工艺分析-manufacturing process analysis of metal oxide flat gas sensor.docxVIP

独创性声明本人声明所呈交的学位论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。尽我所知，除文中已经标明引用的内容外，本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写过的研究成果。对本文的研究做出贡献的个人和集体，均已在文中以明确方式标明。本人完全意识到本声明的法律结果由本人承担。学位论文作者签名：日期：年月日学位论文版权使用授权书本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定，即：学校有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版，允许论文被查阅和借阅。本人授权华中科技大学可以将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇编本学位论文。保密□，在年解密后适用本授权书。本论文属于不保密□。√（请在以上方框内打“√”）学位论文作者签名：指导教师签名：日期：年月日日期：年月日1绪论金属氧化物气体传感器与目前的其他种类气体传感器相比具有许多突出的特点。但是作为实用化的气体传感器，它存在一个难以克服的缺点：选择性问题。由于金属氧化物气体传感器在接受被测气体时往往是通过敏感材料表面与气体接触，发生电子得失，导致敏感材料电阻发生变化，最终得到电信号的，而敏感材料本身并不具有良好的识别气体的能力。因此，如何增加气体传感器的选择性问题是目前被普遍关注的问题。为解决这一难题，前人作出了大量的研究工作。主要集中在三个方面：（1）气体传感器敏感材料的成份调控（2）气体传感器敏感材料的形态调控（3）气体传感器阵列的制作我们认为在这三种方法中，传感器阵列是最具有发展前景的一种方法。但是，传感器阵列的制作对于器件的制作工艺水平、结构的设计提出了更高的要求，并面临着敏感膜成份的选择、阵列的优选及制作工艺的选择等问题。本章回顾了传感器结构的发展历史及制作工艺的发展，平板气体传感器阵列进行了介绍，最后阐述了本论文的主要内容和技术路线。1.1气体传感器结构的发展1962年，日本人清山哲郎发现了氧化物半导体薄膜的气敏效应，并于同年研制出了第一只ZnO半导体薄膜气体敏感元件。随后，人们发现在SnO2烧结体中添加Pt和Pd等贵金属作增感剂，对检测可燃性气体是有效的，并采取一些措施，克服了机械强度和稳定性等在实际应用方面的不足[1,2]。从此，气体传感器成为了一个新的科研领域，越来越多的科研工作者将精力投入到气体传感器的研究中，陆续在各个方面取得了重要的突破，为气体传感器的实用化作出了重要贡献。通常一个气体传感器元件一般包括以下几个部分[3]：（1）气敏膜部分，如ZnO，SnO2等。（2）基板，如Al2O3,Si,SiO2板等。（3）用来测量气敏膜电信号的电极，金或者银电极。（4）加热器，如铂，氧化钌等。对气敏传感器性能的评价，Korotcenkov认为可以从下面几个参数来评价：敏感性、精确性、选择性、响应速度、稳定性、寿命、成本和适应性[4]。半导体传感器在敏感性、响应速度、成本和适应性上都具有非常优异的性能，但是在选择性和稳定性上有所欠缺。因此人们通过各种手段期望能够解决这些问题。其中制作工艺是影响传感器性能的一个重要因素。本文将从传感器电极的设计，网印和气敏膜后处理三个制作工艺的不同方面来研究改进传感器性能的方法。目前为止，气体传感器一共有三种不同的结构：单电极传感器，陶瓷管式传感器，平板传感器。其中平板传感器是目前发展最迅速，发展潜力最大的一类传感器[5]。1.1.1单电极半导体传感器（1）陶瓷型单电极气体传感器将铂丝盘绕，反复浸入金属氢氧化物胶体为前驱物制成的浆料中，使其表面覆盖成一个氧化物球，在800℃保温2个小时然后用12个小时冷却至室温，得到器件。铂丝盘绕的间距对传感器的敏感性有着非常重要的影响，通常螺旋间距在20-25μm[6]。如图1.1所示，在烧结的半导体氧化物中嵌入一根细的铂丝，然后在半导体材料表面覆盖一层薄膜就构成一个单电极传感器。图1.1单电极传感器[6]铂电极同时起到加热器和测量电极的作用。单电极传感器的工作原理是基于半导体氧化物和螺旋状的铂丝形成一个并联的电路。在测试中通过测量电极两端的电压变化并计算后，可以得到传感器气敏部分的电压降。所有的吸收型半导体固体传感器共有的特征就是和周围环境气体发生反应以后会改变金属氧化物的电阻。单电极气体传感器是在稳定的直流电源下工作，商用陶瓷型气体传感器通常是在100mA-140mA下工作，在测试气体的过程中可以得到气体敏感的参数，如：绝对电压降△U和相对电压降△U/Uair等[7]。图1.2是INNOVATSENSORLtd.设计的一种商用单电极传感器图1.2In2O3单电极气体传感器[8]（2）平板型单电极气体传感器Golovanov[9]采用厚膜印刷技术在绝缘的基板上制作了单电极平板气敏传感器（如图1.3所示），他将n型半导体材料Sn