金属 分布式布拉格反射镜结构中的光学 tamm 态-optical tamm states in metal distributed bragg reflector structures.docx

独创性声明本人声明所呈交的学位论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。尽我所知，除文中已经标明引用的内容外，本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写过的研究成果。对本文的研究做出贡献的个人和集体，均已在文中以明确方式标明。本人完全意识到本声明的法律结果由本人承担。学位论文作者签名：日期：年月日学位论文版权使用授权书本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定，即：学校有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版，允许论文被查阅和借阅。本人授权华中科技大学可以将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇编本学位论文。本论文属于保密□，在年解密后适用本授权书。不保密□。（请在以上方框内打“√”）学位论文作者签名：指导教师签名：日期：年月日日期：年月日摘要光学Tamm态(OTS)是由固体物理中的Tamm态类比而来，由A.V.Kavokin等人于2005年首次提出。固体物理中的Tamm态指的是一种电子局域表面态，而OTS是一种界面模，即与OTS相应的增强的场局域在两不同材料的分界面处。OTS广泛的存在于一维光子晶体异质结和金属-分布式Bragg反射镜(DBR)结构中。与传统的表面模相比，OTS可由TE或TM偏振光直接激发，无需特定的入射角，即使是在垂直入射情形下也可以激发。在反射谱中，OTS与光子带隙范围内尖锐的反射dip相联系，具有较窄的半高谱宽，可用于滤波器及高灵敏度传感器的设计。此外，OTS还在极化激元激光器(有腔或无腔)、光开关、增强的Faraday旋转与增强的Kerr效应等领域有着潜在的或实际的应用价值，因此对OTS的研究在近年来倍受关注。本论文以含金属薄膜的平面半导体结构为研究对象，基于传输矩阵方法，理论揭示了多重光学Tamm态的存在，发现了由本征能量相同的两OTS耦合所导致的模的劈裂现象，探讨了由OTS与量子阱激子的强相互作用所形成的Tamm等离子体极化激元(TPP)的特性及伴随的Rabi劈裂现象。论文的主要创新点如下：（1）平面波垂直入射到金属-DBR结构中，通过改变与金属银薄膜相邻电介质层(toplayer)的厚度，发现反射谱中光子带隙范围内出现了多个反射dip。进一步研究发现，这些反射dip是由金属-toplayer界面处不同本征能量的OTS的激发所造成的。OTS的本征能量主要依赖于toplayer的厚度并随着toplayer厚度的变化在带隙范围内连续可调。在特定的波长下，OTS随着toplayer厚度的变化而周期性的出现。并给出了在实验上比较易于观测到该结构中OTS的金属银薄膜的厚度范围。最后指出多重光学Tamm态可应用于光通讯系统中多通道滤波器的设计。（2）将两个金属-DBR结构通过金属薄膜连接在一起用于研究两OTS的耦合作用，合理的设计与金属薄膜相邻的两电介质层的厚度，使得在金属薄膜两侧界面处激发的OTS的本征能量相同。发现在反射谱中光子带隙范围内存在着模的劈裂现象，劈裂成高能量分支(HEB)和低能量分支(LEB)，且劈裂的能量随着金属银薄膜厚度的减小而增大。依据电场在该结构中的空间分布，我们指出HEB和LEB并非与两个独立的OTS相对应，而是分别对应于两OTS的反对称耦合和对称耦合。HEB和LEB的差频处于宽广的太赫兹范围内，且随着金属银薄膜厚度的变化连续可调，可应用于太赫兹发射装置的设计。（3）研究了含量子阱工作物质的金属-DBR结构中OTS与量子阱激子间的相互作用。通过改变金属银薄膜的厚度来调节OTS的本征频率，当OTS的频率与量子阱激子的频率相近时，OTS与激子的强相互作用形成TPP，并分裂成高能量TPP分支和低能量TPP分支，在反射谱中则呈现出明显的反交叉现象。改变量子阱在与金属相邻的电介质层toplayer中的位置，发现Rabi劈裂能量随量子阱位置的变化在空间上呈周期性的振荡。量子阱处在toplayer中电场的波腹位置处，Rabi劈裂能量达最大值；而在电场的波节位置处，量子阱激子没能被有效激发，Rabi劈裂现象消失。在斜入射情形下，产生Rabi劈裂时，激子的频率存在着蓝移。关键词：分布式Bragg电介质镜传输矩阵方法光学Tamm态量子阱激子耦合作用AbstractTammstatesareakindofsurfacestatesoflocalizedelectronicsinsolid-statephysics.TammpredictedtheexistenceofTammstatesattheedgeofatruncatedperiodicatomicpotentialinthe1930s,andTammstateswerefirstobservedinsemiconductorsuperlatticesi