第6章1半导体 《电路与模拟电子技术知识原理》课件.pptVIP

二极管与门电路 在数字电路中，通常 把高于2.4V的电平当作高电平，记为逻辑1， 把低于0.8V的电平当作低电平，记为逻辑0， 此时6-13（a）所示的电路的输出信号就等于两个输入信号的逻辑“与”，所以该电路又称为二极管与门电路。 电路与模拟电子技术原理 第六章 半导体元器件 第6章 半导体元器件 6.1 从电子管到晶体管 6.2 半导体 6.3 半导体二极管 6.4 晶体管 6.5 场效应晶体管 6.1 从电子管到晶体管 真空电子二极管 单向导电性： 阴极加热后发射电子，阳极吸收电子 真空电子三极管 放大效应 栅极电压控制从阴极到达阳极电子的数量 电压→控制→电流 真空管（电子管） 第6章 半导体元器件 6.1 从电子管到晶体管 6.2 半导体 6.3 半导体二极管 6.4 晶体管 6.5 场效应晶体管 本征半导体（续） 四价元素构成本征半导体 本征半导体（续） 带负电的自由电子，和带正电的空穴，统称为载流子。 在受热（热激发）或者光照（光激发）时，共价键中的价电子可能获得一定的能量，少数价电子摆脱共价键的束缚而成为自由电子， 同时在共价键中留下空位，称为空穴 本征半导体（续） “本征” 的含义，是指载流子的浓度取决于半导体自身的固有（本征）特征。 在一定温度下，载流子的浓度保持一定 产生过程与复合过程相对平衡。 本征半导体中的载流子浓度除了与半导体材料自身特性有关以外，还与温度、光照等因素有关。 6.2.2 杂质半导体 本征半导体的导电能力很弱，热稳定性也很差， 改进方式→掺入杂质 根据掺入杂质性质的不同， N（Negative）型半导体 P（Positive）型半导体 1．N型半导体 本征半导体中掺入微量五价元素，如磷、锑、砷等 自由电子为多数载流子（多子）， 空穴为少数载流子（少子）。 2．P型半导体 本征半导体中掺入三价元素，如硼、铝、镓等 空穴为多子 自由电子为少子 6.2.3 PN结 PN结是构成各种半导体器件的核心 在一块硅片上，一边N型半导体，另一边P型半导体，交界面处形成PN结。 2．PN结的单向导电性 正偏导通，反偏截止 3．PN结的反向击穿特性 当反向电压超过一定数值时，PN结电阻突然减小、反向电流突然增大，这种现象称为PN结的反向击穿。 PN结的反向击穿有两种类型： 齐纳击穿 雪崩击穿 电击穿是可逆的，热击穿不可逆 4．PN结方程 流过PN结的电流i与外加电压u之间的关系为 IS为PN结的反向饱和电流； UT＝kT/q，为温度的电压当量或热电压，在T＝300K（室温）时，UT＝26mV。 PN结的伏安特性曲线 温度升高时， 正向特性曲线向左移动， 反向特性曲线向下移动。 5．PN结的电容效应 当PN结上的外加电压变化时，会引起PN结（即耗尽层）所存储的电荷量的变化，PN结所具有的这种“电压变化引起电荷量变化”的特征，就是PN结的的电容效应。 根据结电容的成因，可分为 势垒电容 扩散电容。 第6章 半导体元器件 6.1 从电子管到晶体管 6.2 半导体 6.3 半导体二极管 6.4 晶体管 6.5 场效应晶体管 6.3 半导体二极管 二极管（Diode）的核心特性——单向导电性 在一个电流方向上的电阻很小（理想情况是零）， 在另一个电流方向上的电阻却很大（理想情况是无穷大） 6.3.1 基本结构 6.2.2 二极管的特性 1．二极管的伏安特性曲线 二极管的伏安特性曲线（续） （1）正向特性 死区电压（也称开启电压）Uth 导通电压Uon （2）反向特性 反向饱和→反向击穿 （3）温度特性 温度升高，正向特性曲线向左移，反向特性曲线向下移 2．二极管的特性参数 （1）最大整流电流IF （2）最大反向工作电压URM （3）反向电流IR （4）最高工作频率fM 6.2.3 二极管的应用 利用二极管的特性： 单向导电性 反向击穿特性 理想二极管： 正向导通时，二极管视为短路，正向电阻为零，正向压降忽略不计； 反向截止时，二极管视为开路，反向电阻为无穷大，反向电流忽略不计。 1．二极管整流（检波）电路 利用：单向导电性 2．二极管限幅电路 利用：单向导电性 二极管限幅电路（续） 二极管限幅电路实际上就是确保输出电压不能高于电压源US。 由于限幅电路能够将输入信号中超出指定幅度的部分削平，所以也称为削波电路。 换个角度看，也可以说二极管限幅电路实际上是在电压源US和输入电压ui之间选择一个较低的电压作为输出。 3．二极管电平选择电路（逻辑门电路） 利用：单向导电性 * *