第三章 场效应管放大电路 模拟电子技术知识.pptVIP

;第三章 场效应管放大电路;一、场效应管的分类 ;二、MOSFET与JFET的主要区别 JFET：利用外加电场来控制半导体内的电场效应。 通过改变PN结耗尽层的宽度，改变导电沟道的宽窄来控制输出电流。 MOSFET：利用外加电场来控制半导体表面的电场效应。通过改变感生沟道的宽窄来控制输出电流。;分析：主要讨论 uGS对iD 的控制作用。 (1)导电沟道的建立; (2) uDS对iD的影响 ;(3) uGS对iD的控制作用 ;3. 特性曲线;3. 特性曲线;1. 基本结构 图3.1.5是N 沟道耗尽型绝缘栅场效应管的结构示意图。制造时在二氧化硅绝缘层中渗入大量的正离子，在它的作用下，即使uGS =0 时，在两个N型区之间形成原始N型导电沟道。;2. 工作原理 分析：在uDS 为常数， 1) 当uGS =0 时，漏源极间已导通， iD≠0 ； 2) uGS＞0 时，沟道变宽，iD ↑； 3) uGS＜0 时，沟道变窄，iD↓； 4) 当uGS 达到一定负值时，沟道被夹断， iD≈0 ； MOS管截止， uGS = UP 值称为夹断电压;3. 特性曲线; 3.1.3 场效应管的主要参数; 3.1.3 场效应管的主要参数;3.2 场效应管放大电路;3.2.1 场效应管的微变等效电路;图3.2.1 FET的微变等效电路及高频模型;1. 放大电路的组成 以N沟道耗尽型绝缘栅场效应管组成的分压式偏压电路为例，电路如图3.2.2所示。;2.静态分析 ;(1) 放大电路的放大倍数;4. 举例分析 ;4. 举例分析 ;;第三章 作业 3.10；3.13