第6章 金属-化物-半导体场效应晶体管.pptVIP

* * 书上是N沟道MOSFET的电流电压特性 * * (6-71) 公式和书上的少个负号 * 这儿和书上画的不一样 * 这两个地方和书上的不一样 在P201页 * 同上一页ppt * * 这儿的Qs和Qm标的不对 * 这个公式没有编号 不是 （6-51） 6.6 等效电路和频率响应 图6-20 MOS晶体管的小信号等效电路。 MOSFET的等效电路 6.6 等效电路和频率响应 小信号参数 1.线性导纳 线性区电阻(开态电阻或导通电阻) （6-76） （6-75） （6-77） 6.6 等效电路和频率响应 图6-19 MOSFET中沟道导纳与的对应关系 线性导纳 6.6 等效电路和频率响应 2.跨导 线性区： 饱和区： 设 为常数成立，饱和区跨导表示式和线性区导纳相同. （6-79） （6-78） （6-80） 6.6 等效电路和频率响应 3.饱和区的漏极电阻 饱和区漏极电阻可以用作图法从漏极特性中求得。 4.栅极电容 （6-81） 6.6 等效电路和频率响应 截止频率 定义为输出电流和输入电流之比为1时的频率，即当器件输出短路时，器件不能够放大输入信号时的频率。 线性区 饱和区 为了提高工作频率或工作速度，沟道长度要短，载流子迁移率要高。 （6-82） 6.6 等效电路和频率响应 小结 漏极导纳也叫做线性导纳(饱和区漏电流不随漏电压变化)。根据公式（6-76）可由电流-电压曲线测出漏极导纳，根据公式（6-77）可计算出漏极导纳。 同样根据公式公式（6-79）、（6-80）和（6-81）可以分别测出和计算出跨导并将实验测量结果和计算结果比较。 栅极电容 为绝缘层电容。输入电压信号加在栅极电容上，MOSFET具有比JFET更高的输入阻抗。 6.6 等效电路和频率响应 小结 4. 最高工作频率频率 线性区 饱和区 为了提高工作频率或工作速度，沟道长度要短，载流子迁移率要高。 （6-83b） （6-83a） 6.6 等效电路和频率响应 教学要求 掌握交流小信号参数线性导纳、导通电阻、线性区跨导、饱和区跨导、饱和区的漏极电阻 栅极电容 画出交流等效电路图6-20 计算截止频率，提高工作频率或工作速度途径 作业：6.11、6.12 6.7 亚阈值区 第六章 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 当栅电压低于阈值电压，半导体表面仅仅只是弱反型时，相应的漏电流称为亚阈值电流。 在亚阈值区，对漏电流起决定作用的是载流子扩散而不是漂移。漏电流可以用推导均匀掺杂基区的双极晶体管集电极电流的相同方法导出 （6-86） 6.7 亚阈值区 小结 3. 用做数字逻辑电路开关及存储器使用时，亚阈值区特别重要。这是因为亚阈值区描述了开关如何导通和截止。 4. 必须将MOSFET偏置在比 低0.5V（实例）或更低电压值，以使亚阈值区电流减小到可忽略。 6.7 亚阈值区 小结 6.8 场效应晶体管的类型 第六章 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 6.8 场效应晶体管的类型 按照反型层类型不同，MOSFET可分四种 N沟MOSFET：N沟增强型 N沟耗尽型 若在零栅压下沟道电导很小，栅极必须加上正偏压才能形成导电沟道，这种器件就是增强型N沟MOSFET。 若在零偏压下已存在N型沟道，为了减小沟道电导，栅极必须加负偏压以耗尽沟道载流子，这样的器件是耗尽型N沟MOSFET。 P沟MOSFET：P沟增强型 P沟耗尽型 6.8 场效应晶体管的类型 N沟MOSFET： N沟增强型 N沟耗尽型 增强型N沟器件，要使沟道通过一定的电流，正的栅偏置电压必须比阈值电压大。 耗尽型N沟器件，在零栅压时，沟道已可流过很大的电流，改变栅压可以增加或减小沟道电流。 P沟MOSFET： P沟增强型 P沟耗尽型 把电压的极性改变，关于N沟器件结论可以很容易地推广到P沟器件。 6.8 场效应晶体管的类型 表6.2四种器件的截面、输出特性和转移特性 6.8 场效应晶体管的类型 表6.2四种器件的截面、输出特性和转移特性 6.8 场效应晶体管的类型 小结 MOSFET四种类型: N沟增强、N沟耗尽、P沟增强 P沟耗尽 N沟增强型MOSFET在零栅电压时不存在导电沟道，欲使器件导通需加正的栅偏压 使半导体表面反型。 N沟耗尽型