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自由电子流在n型矽 自由电子往正端流 电源供应的正端 电子流 电源供应的负端 图 2.24 受体电子提供一个电子空位，形成p型矽 电洞 硼原子当作p型的掺质 Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si B Si Si Si Si Si Si B B 掺杂硼以形成p型矽 图 2.25 在p型矽的电洞流 电子流 电洞流 电源供应的正端 电源供应的负端 电洞往负端流 电子往正端流 图 2.26 矽的电阻率与掺质浓度之关系 Redrawn from VLSI Fabrication Principles, Silicon and Gallium Arsenide, John Wiley Sons, Inc. 电阻率 (?-cm) 1021 1020 1019 1018 1017 1016 1015 1014 1013 10-3 10-2 10-1 100 101 102 103 n-型 p-型 图 2.27 掺质浓度 (atoms/cm3) p-型矽 n-型矽 pn接面横切面 图 2.28 其他半导体材料 表 2.3 This basic circuit illustrates the principle of copper wires being used to create