非平衡磁控溅射等离子体频谱特征.docVIP

------------------------------------------------------------------------------------------------ —————————————————————————————————————— 非平衡磁控溅射等离子体频谱特征 第30卷 第2期 2 0 1 0年6月 核 聚 变 与 等 离 子 体 物 理 Nuclear Fusion and Plasma Physics Vol.30, No.2 June 2010 文章编号：0254?6086(2010)02?0169?04 牟宗信，牟晓东，贾 莉，张鹏云，刘升光，董 闯 (三束材料改性教育部重点实验室，大连理工大学物理与光电工程学院，大连 116024) 摘 要：利用朗缪尔探针和快速傅里叶变换研究了非平衡磁控溅射等离子体静电波动的驻波共振频谱特征。频带宽度为0~300kHz，典型放电条件下磁控靶前2cm和10cm两个位置的共振本征频率变化范围分别为10~50kHz和1~10kHz，研究了线圈电流、气压和放电功率等参数对共振本征频率的影响；指出了非平衡磁控溅射中能够导致等离子体静电驻波共振的两种势阱结构，提出驻波共振机制解释特征频率出现的原因，根据声驻波共振机制计算的电子温度数值符合实验的结果。 关键词：磁控溅射；等离子体；共振 中图分类号：O539 文献标识码：A 1 引言 近年来发展了孪生磁控溅射技术和高功率脉 ～ 冲磁控溅射技术[14]。由于磁控靶的特殊电场和磁场结构，如何提高能量耦合效率和电荷的传输机制是重要的研究课题，如反常的电荷传输机制、复杂的静电波动、脉冲耦合的物理过程等问题，涉及到复杂时空结构和非线性物理过程。在平行磁控靶表面的磁场B和垂直磁控靶表面的电场E形成的正交场中，电子迁移的速度为vd=E/B，因这种场能够约束电子被称为磁阱；磁控靶和与之平行的偏压基片之间形成了另一种势阱结构。磁控溅射中放电气体和溅射原子的电离主要发生在磁控靶鞘层附近并在电场力和密度梯度的作用下向基片迁移[5]。放电时，磁控靶的电场梯度、电荷密度梯度和电荷的交叉场漂移等因素导致了复杂的等离子体静电波 ～ 动[57]，其频率在几Hz～1MHz范围之内，在这个频率范围内存在离子声波、离子回旋波和低混杂波动等低频波动。Sheridan实验研究了直流磁控溅射出现的等离子体湍动[6]，认为是等离子体的电荷密度波动——磁阱中被磁化电子在交叉场作用下漂移，漂移速度大于声速时形成不稳定的离子声波模式。Martines[7]在磁控靶的磁阱中观察到对应低角向模数的静电波动，模数频率是100kHz的量级，这 个数值介于电子回旋频率和离子回旋频率之间，研究发现放电气压和功率达到一定阈值才能够激发等离子体静电波动；证实了直流磁控溅射等离子体静电波动是电荷密度波动，幅值能够达到30%，属于不稳定交叉场漂移和密度梯度模式的相干波动，角向波矢和频率之间存在线性关系，线性理论的描述很好符合实验现象。 磁控靶上的电子E×B运动、电场梯度和电荷密度梯度都能够形成不稳定性，为中性拖曳不稳定性或双流体不稳定性，满足一定条件时导致大幅度的电荷密度波动，并激发离子声波[8]。非平衡磁控溅射可以采用同轴线圈控制系统轴向的非平衡度[9]。实验发现非平衡磁场增强静电波动的相对强度，这种静电波动信号和磁场、功率等放电条件有密切关系。 采用Langmuir探针研究了两个位置上的等离子体参数和浮置电位信号随放电条件的变化关系，采用傅里叶变换得到特征频谱，发现了两个位置对应不同的频域，重点探讨了形成两种特征基频的驻波特征。 2 实验过程 放电使用直径?100mm的圆形磁控溅射靶和 收稿日期：2009?09?14；修订日期：2010?02?22 基金项目：国家自然科学基金资助项目 作者简介：牟宗信(1969?)，男，山东日照人，副教授，从事低温等离子体应用研究。 170 核聚变与等离子体物理 第30卷 同轴线圈构成非平衡磁控溅射系统，通过调整线圈电流改变非平衡磁控溅射靶的“非平衡度”。系统结构参见文献[9]。实验中磁控靶材料为纯铬(纯度高于99.8%)。放电的直流电源电压范围是0～1000V，经过滤波输出，可以排除电源纹波对测量的影响；放电气体是高纯Ar(99.999%)，磁控溅射系统的工作真空度为0.1～10Pa，采用气体质量流量计控制气体流量。真空室采用分子泵抽到3×10?3