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具体研究工作 Zeff与平均Ne的关系 Zeff与低杂波功率的关系 光路设计 轫致辐射信号放大器 光信号经PMT放大后信号：0.1微安量级 电导放大器，放大倍数约10^7V/A 频率带宽：50kHz 低噪声高精度运算放大器芯片， FET运放，OPA656/657,THS4601/4631 单道信号放大器原理图 Fig.7 电导放大器，第一级放大倍数10^6 V/A, 第二级放大倍数10V/V, 输入电阻10^8欧姆以上，输出电阻小于10欧姆，带宽50kHz Zeff1.0简介 Zeff1.0输出的计算结果 具体研究工作和进度 附：Zeff计算程序 Zeff 与 PlhW Zeff 与PlhW成正向关系 因为功率增加，第一壁表面热通量增加（也包括低杂波天线外屏蔽罩），溅射出杂质增加 Zeff的增加使低杂波驱动效率降低 低杂波驱动电流反映低杂波驱动效率 假设等离子体斯必泽电阻基本不变 Zeff 与 Ne 有效电荷数Zeff反映杂质浓度： 随着等离子体密度增加，杂质的绝对量增加，但相对量减少，总的效果是Zeff减小 C是Te和PVB的函数，反映杂质的绝对含量 8道信号放大器PCB图 * ASIPP * East中利用见韧致辐射诊断有效电荷数 学 生：查文清 导 师：吴振伟 方 向：光谱诊断 ASIPP 2007级硕士论文开题 可见韧致辐射的光学设计 放大器电路的设计与优化 编制程序并进行误差分析 韧致辐射的物理机理理解 Fig.2 只有欧姆加热下Zeff随平均Ne的变化 Fig.3 只有欧姆加热下Zeff随平均Ne的变化 有效电荷数Zeff反映杂质浓度： 等离子体密度增加，杂质绝对量增加，相对量减少， C是Te和PVB的函数，反映杂质的绝对含量 Zeff 与PlhW成正向关系 Zeff的增加使低杂波驱动效率降低 低杂波驱动电流反映低杂波驱动效率 假设等离子体斯必泽电阻基本不变 Fig.4 不同条件下Zeff随低杂波功率的关系 Fig.5 不同条件下Zeff随低杂波功率的关系 Fig.6 East轫致辐射光路图 8道光路与水平面的夹角： angle= （4.9,7.0, 9.1,11.2,13.3,15.4,17.5,19.6） 8道光路中心线方程： Y=tan(angle(n)) * (4.062-X) + 0.196 一、软件平台： - Matlab 7.0，MS Excel 2003 二、主要功能： - 计算 Zeff(t) - 输出《EAST性能评价之Zeff.xls》 三、程序规模： - 大模块，10个子程序， Fig.8 Zeff1.0所有的子程序 模块一： 滤除无效炮 模块三： 计算Zeff 模块二： 获取初始数据并处理 模块四： 选取一个平台时刻点 Fig.9 Zeff1.0得到的Zeff（t） Fig.10 Zeff1.0得到的性能评价表 可见韧致辐射的光学设计 （80%） 放大器电路的设计与优化 （75%） 编制程序并进行误差分析 （90%） 韧致辐射的物理机理理解 （60%） 炮号 有效炮？ 本地？ 本地磁盘 本地I\O 读取MDS Zeff计算 Zeff(t) Zeff_t EXCEL 判定时刻t MDS no yes yes no n=n+1 国际的研究背景 JET ASDEX, Tore supra