位错之间的交互作用.PPT

处于相互平行的滑移面上的同号刃位错，将力图沿着与柏氏矢量垂直的方向排列起来。 这样的位错组态构成小角度晶界，也叫做位错壁(位错墙)。回复过程中多边化后的亚晶界就是由此形成的。 双交滑移增殖机制； L形位错的增殖机制。 第五节 位错之间的交互作用 晶体中存在位错时，在它的周围便产生一个应力场。 实际晶体中往往有许多位错同时存在。 任一位错在其相邻位错应力场作用下都会受到作用力，此交互作用力随位错类型、柏氏矢量大小、位错线相对位向的变化而变化。 一、两个平行螺位错间的作用力 位错S1在(r,θ)处的应力场为 ， 位错S2在此应力场中受到的力为： 两平行螺型位错间的作用力fr：大小与两位错强度的乘积成正比，而与两位错间距成反比，其方向沿径向 ，垂直于所作用的位错线。 同理，位错S1在 S2的应力场的 作用下也将受到一个大小相等，方 向相反的作用力。 当 和 同向时，即为同号螺位错， fr0，作用力为排斥力， 若 和 反向时，即为异号螺位错， fr0，作用力为吸引力。 即：两平行螺位错交互作用的特点是：同号相斥，异号相吸;交互作用力的绝对值则与两位错的柏氏矢量模的乘积成正比，而与两位错间的距离成反比。 平行螺位错的交互作用力 二、两个平行刃位错之间的作用力 e1作用于(x,y)处的应力分量有σxx，σyy，σzz，τxy，τyx，其余为0。但只有τyx和σxx对e2有作用，由于e2的滑移面平行于X—Z面，切应力τyx能促使其沿X轴方向发生滑移，正应力σxx能促使其沿Y轴方向发生攀移。τxy对e2的滑移不起作用， σyy，σzz对e2的攀移也不起作用。 ∴位错e1作用于位错e2上的力为： fx是引起滑移的作用力，当 和 一定时，fx的正负号(即作用力的方向) 由x(x2-y2)项决定，即由e2的位置决定。 e1 e2 当b1、b2同号时， 在|x||y|时，若x0，则fx0； 若x0， 则fx0，表明位错e2位于①、 ②区时，两位错互相排斥； 当y=0，若x0，则fx0；若x0， 则fx0，表明位于同一滑移面上的同号位错总是互相排斥的。 在|x||y|时，若x0，则fx 0； 若x0， 则fx0，表明位错e2位于③ 、 ④ 区时， 两位错互相吸引； 当|x|=|y| 时，fx=0，不存在使位错e2滑移的力，但当它稍许偏离此位置时，所受到的力会使它偏离的更远，即y=x和y=-x两条线是位错e2的介稳定位置。 当x=0， fx=0，当它稍许偏离此位置时，所受到的力就使它退回原处，即Y轴是位错e2的稳定平衡位置。 两刃位错在X-轴方向上的交互作用 (a)同号位错； 对于两个异号刃位错，其交互作用力与同号位错相反，位错e2的稳定平衡位置和亚稳定平衡位置对换，即|x|=|y| 时，为稳定平衡位置。 两刃位错在X-轴方向上的交互作用 (a)同号位错；(b)异号位错 fy是使e2沿y轴攀移的力。 当b1、b2同号时， fy与y同号。 位错e2在位错e1的滑移面以上时，即 y0，则fy0，位错将向上攀移； 当e2在e1滑移面以下时，fy0， 则e2向下攀移。 因此，两同号位错沿y轴方向互相排斥。 而异号位错间的fy与y异号，所以沿y轴方向互相吸引。 第六节 位错的增殖、塞积与交割 一．位错的生成 晶体中的位错来源： 1、晶体生长过程中产生位错。 先、后凝固部分点阵常数有差异，形成位错作为过渡； 生长着的晶体偏转或弯曲引起相邻晶块之间有位相差，它们之间会形成位错； 晶粒受力变形而形成位错。 2、自高温较快冷却时晶体内存在大量过饱和空位，空位聚集形成位错。 3、晶体内部的某些界面出现应力集中现象，使该局部区域发生滑移，在该区域产生位错。 二、位错的增殖 充分退火的金属：ρ =1010~1012/m2； 经剧烈冷变形的金属： ρ =1015~1016/m2。 高出4~5个数量级：变形过程中，位错肯定以某种方式不断增殖了。 位错源：能增殖位错的地方。 位错增殖的机制有多种，其中最重要的是Frank－Read源，简称F-R源。 F-R源 过程： 位错线弯曲和扩展中，b不变，位错线各点性质在变。 1点为左螺旋，7点为右螺旋，两点相遇时，彼此抵消，位