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基于固体开关器件新型高压脉冲驱动源 　　摘要：从MOSFET的开关基理，以仿真与电路实验相结合的方法，研究出了MOSFET栅极的“过”驱动技术，以此来提高MOSFET的开关速度。并结合多个MOSFET的串并联的级联技术，采用多管串联方法来提高脉冲源的输出脉冲幅度，采用多管并联方法来提高脉冲源的其输出脉冲功率，从而得到较大的脉冲宽度。在此研制出了输出脉冲幅度大于4 kV、前沿小于10 ns、脉冲宽度大于100 ns的高压快脉冲源。 　　关键词：过驱动； MOSFET； 高压固体器件； 高压宽脉冲 　　中图分类号：TN911?34文献标识码：A文章编号：1004?373X(2012)04?0000?03 　　New high?voltage pulse driving source based on solid switch device 　　CHEN Jing, ZHOU Xiao?qing 　　(Institute of Electronic Engineering, China Academy of Engineering Physics, Mianyang 621900, China) 　　Abstract： The the circuit of the pulse source is introduced briefly. The switch theory of the power MOSFET is expatiated emphatically. The overdriving technique of the power MOSFET grid is investigated to improve the switch speed of the power MOSFET by simulation and experiments. Power MOSFET is used as a switch element in the technology. The ways of improving the output power of the pulse source are analyzed through integrating the techniques of several power MOSFETs in series or in parallel. A high?voltage wide pulse source with the amplitude of output pulse larger than 4 kv, the rise time less than 10 ns and the pulse width wider than 100 ns was obtained. 　　Keywords： overdriving; power MOSFET; high?voltage solid device; high?voltage wide pulse 　　 　　收稿日期：2011?09?26高压快脉冲源的技术基础核心是高压快开关。以前固体器件开关尽管具有速度快、晃动小等优点，但由于技术与工艺水平的限制，不具备有电真空器件的大功率、耐高压、大电流驱动能力等特点，因而只能用于低压快脉冲源领域，随着半导体技术的发展，逐步出现了高压固体器件，采用多管级联方式，提高输出功率，逐步改变了现状，并且在中小功率的脉冲源领域中，逐步地取代了真空电子器件及氢闸流管［1］。这里重点研究基于固体开关的脉冲驱动技术，对雪崩管、高压功率场效应管的机理进行了深入调研，对其开关原理和开关特性进行了综合分析研究，着重对提高大功率高压???效应管开关速度的栅极驱动及特殊的过驱动方法开展研究，确定采用MOSFET为主开关元件的技术方案，运用ORC.ADPspice软件对电路仿真［2］，分析并验证高压MOSFET单管、多管级联及驱动理论，以提高脉冲的前沿的方法措施，达到了电路的优化设计。 　　1MOSFET的选用和开关速度的提高 　　在选用纳秒级的固体开关上，对固体雪崩三极管［3］和MOSFET［3］的性能进行了对比： 　　固体雪崩管被触发工作在雪崩或二次击穿瞬间时，能输出很大的脉冲峰值电流，且触发晃动和上升时间都很小；但是由于雪崩持续时间很短，大约只有几个ns，所以输出脉冲平均功率较低，脉冲宽度较窄，电流难以控制。因此广泛用于制作重复频率低而脉冲功率高的窄脉冲源。 　　MOSFET具有大的脉冲开关电流（数十安培）、较高的漏源电压（达千伏）、和小的导通内阻（欧姆量级），用它制作的脉冲源抗脉冲电磁干扰能力较强。由于其输入/输出电容较大，因此它的开关速度较慢。但场效应管脉冲源电压幅度和宽度容易调节，只要在“过”驱