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第1章 常用半导体器件 1.1 半导体基础知识 1.2 半导体二极管 1.3 晶体三极管 1.4 场效应管 第1章 常用半导体器件 ［教学目的］ 1、了解本征、杂质半导体的导电特性及PN结中载流子的运动。 2、掌握半导体二极管的伏安特性及其主要参数，理解稳压管的原理及应用，了解PN结的电容效应。 3、掌握晶体三极管的电流分配关系及放大系数，掌握晶体管的共射特性曲线，了解温度对晶体管参数的影响。 4、掌握结型、绝缘栅型场效应管的基本结构，工作原理及相应的特性曲线，了解其与晶体管的异同点。 第1章 常用半导体器件 ［教学重点和难点］ 二极管的单向导电性、稳压管的原理。 三极管的电流放大原理，如何判断三极管的管型 、管脚和管材。 场效应管的分类、工作原理和特性曲线。 ［教学时数］6学时 本章讨论的问题 1.为什么采用半导体材料制作电子器件？ 2.空穴是一种载流子吗？空穴导电时电子运动吗？ 3.什么是N型半导体？什么是P型半导体？当两种半导体制作在一起时会产生什么现象？ 4.PN结上所加端电压与电流符合欧姆定律吗？它为什么具有单向性？在PN结中加反向电压时真的没有电流吗？ 5.晶体管是通过什么方式来控制集电极电流的？场效应管是通过什么方式来控制漏极电流的？为什么它们都可以用于放大？ 1.1 半导体基础知识 根据物体导电能力（电阻率）的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。 半导体的电阻率为10-3－10-9 ?·cm。 典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。 1.1.1 本征半导体 本征半导体——纯净的具有晶体结构的半导体。 制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常称为“九个9”。它在物理结构上呈单晶体形态。 1.1.1 本征半导体 (1) 本征半导体的共价键结构 硅和锗是四价元素，在原子最外层轨道上的四个电子称为价电子。它们分别与周围的四个原子的价电子形成共价键。共价键中的价电子为这些原子所共有，并为它们所束缚，在空间形成排列有序的晶体。 1.1.1 本征半导体 (a) 硅晶体的空间排列 (b) 共价键结构平面示意图 硅原子空间排列及共价键结构平面示意图 1.1.1 本征半导体 (2) 电子空穴对 当导体处于热力学温度0 K时，导体中没有自由电子。当温度升高或受到光的照射时，价电子能量增高，有的价电子可以挣脱原子核的束缚，而参与导电，成为自由电子。这一现象称为本征激发（也称热激发）。 1.1.1 本征半导体 自由电子产生的同时，在其原来的共价键中就出现了一个空位，原子的电中性被破坏，呈现出正电性，其正电量与电子的负电量相等，人们常称呈现正电性的这个空位为空穴。可见因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，称为电子空穴对。游离的部分自由电子也可能回到空穴中去，称为复合。本征激发和复合在一定温度下会达到动态平衡。 1.1.1 本征半导体 本征激发和复合的过程 自由电子的定向运动形成了电子电流，空穴的定向运动也可形成空穴电流，它们的方向相反。 1.1.2 杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。 1.1.2 杂质半导体 (1) N型半导体 Negative 在本征半导体中掺入五价杂质元素，例如磷，可形成N型半导体，也称电子型半导体。 1.1.2 杂质半导体 (2) P型半导体 Positive 在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓、铟等形成了P型半导体，也称为空穴型半导体。 1.1.2 杂质半导体 （3） 杂质对半导体导电性的影响 掺入杂质对本征半导体的导电性有很大的影响，一些典型的数据如下: T=300K 常温下，本征硅的电子和空穴浓度为 ni = pi =1.43×1010/cm3 掺杂后，N 型半导体中的自由电子浓度为 n= 5×1016 /cm3 1.1.3 PN结 在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质，分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半导体和P型半导体的交界面上形成PN结。 1.1.3 PN结 PN结的单向导电性 PN结具有单向导电性。 如果外加电压使： PN结P区的电位高于N区的电位称为加正向电压，也称正向偏置，简称正偏； PN结P区的电位低于N区的电位称为加反向电压，也称反向偏置，简称反偏。 PN结的单向导电性