用X光光刻法制备亚波长抗反射结构.pdfVIP

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2018-06-09 发布于河南
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用X光光刻法制备亚波长抗反射结构.pdf

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用X光光刻法制备亚波长抗反射结构

1 1 2008 2 M ICRO FABR ICA T ION T E CHNO LOG Y Feb, 200 8 : 100382 13( 200 8) 0100140 3 X 1 2 , ( 1 / , 2000 30 ; 2 , 525- 8577) : 为了提高太阳电池的转换效果, 降低反射光栅的偏振敏感性, 开发了一种新的抗反射结的微细加工技术首先用X 光光刻在 PMMA 光刻胶上得到相应的亚微米级的线宽图形, 再利用显影技术获得了高深宽比的立体亚波长纳米结 , 即抗反射结设计了适用于可见光波段的二维亚波长抗反射光栅, 用X 光光刻制作工艺在硅衬底上进行了实验制备用此纳米加工技术获得了线宽为150 nm 高度约为450 nm ( 即深宽比为30) 的PM MA 减反射结同时还优化了曝光近接间隔曝光剂量显影时间等X 光光刻参数 : X ; ; ; : T H74 16 : A , 1 , L IGA ( , 1 000) , 899 , ( EDM ) , , L IGA [ 1 , ( mot heye) PMMA [ 2 PMMA , X , , PM MA X , X X PMMA ( PMMA , X ) , PMMA , , P MMA L IGA 300 nm2 PMMA , 2 : X , X :; : : ( 607770 16) : ( 1965- ) , , , , , L IGA M EM S ; ( 1946- ) , , , , , L IGA M EM S 1 : X 15 1 575 MeV X AU RORA ( beamline 5) X X X X 015 nm ~ 095 nm,