刚挠结合板中挠性区的关键制造技术分析及应用-analysis and application of key manufacturing technology of flexible zone in rigid-flexible composite plate.docxVIP

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2018-05-30 发布于上海
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刚挠结合板中挠性区的关键制造技术分析及应用-analysis and application of key manufacturing technology of flexible zone in rigid-flexible composite plate.docx

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刚挠结合板中挠性区的关键制造技术分析及应用-analysis and application of key manufacturing technology of flexible zone in rigid-flexible composite plate

摘要摘要刚挠结合板兼具刚性板和挠性板的特点，具有优良的耐热性、介电性能和电气性能，可以弯曲、扭转和移动，具有很高的装配可靠性，符合未来印制电路板朝轻薄短小的方向发展的趋势，具有广阔的发展前景。本文研究刚挠结合板中挠性区的关键制造技术，对精细线路制作工艺、黑孔化工艺、等离子清洗工艺和焊盘镀镍工艺进行了研究，取得了以下结果：1.通过铜箔减薄工艺将12μm厚的铜箔减薄到3.5μm，再对显影速度、显影压力、蚀刻速度和蚀刻压力四个因素进行优化试验设计，并通过极差分析、线宽均匀性分析和蚀刻因子分析，得到半加成法制作30μm精细线路的最佳参数：显影速度为3.2m/min，显影上压力为1.4kg/cm2，下压力为1.3kg/cm2，蚀刻速度为4.5m/min，蚀刻上压力为1.6kg/cm2，下压力为1.5kg/cm2。2.通过制作四种不同孔型的挠性板，对它们黑孔化后、电镀后、热冲击试验后进行金相切片分析，发现不同孔型的挠性板对黑孔化工艺有极大影响，选择新钻刀以及采用等离子清洗孔壁对于改善黑孔化效果明显；通过制作不同厚度和不同孔径的刚挠结合板，并通过对电镀后孔壁铜层的厚度进行分析，证明了不同厚度和不同孔径的刚挠结合板均有不同的黑孔化效果，并且电镀时碳黑/石墨层的导电性及后续电镀药液交换间存在交互作用。.通过等离子清洗的单因素分析，确定了CF4流量、O2流量、处理功率和处理时间四个因素不同水平对试验指标的影响趋势；再对CF4流量、O2流量、处理功率和处理时间四个因素进行优化研究，得到孔壁清洗的最佳清洗参数为CF4流量为100cc/min，O2流量为250cc/min，处理功率为4000W，处理时间为35min；最后采用最佳清洗参数并结合二次黑孔化工艺(10min)，证明能够应用于六层刚挠结合板的孔金属化制作中。.通过不同电流密度与时间的组合，最适合镀镍的电流密度范围为2.5A/dm2~3A/dm2；再对NiCl2、Ni(NH2SO3)2、H3BO3和pH四个因素进行优化研究，得到电镀镍的最佳组合：NiCl2为16g/L，Ni(NH2SO3)2为400mL/L，H3BO3为48g/L，pH为4.2；通过非线性回归分析得到镍镀层均匀性δ和厚度平均值I的二次回归方程，将该方程应用于实际生产中，大大降低镀镍厚度不均匀等引起的不良率。关键词：刚挠结合板，精细线路，黑孔化技术，等离子清洗，电镀镍ABSTRACTABSTRACTRigid-flexPCBbothlyhasthecharactersofrigidPCBandflexiblePCB,withexcellentheatresistanceability,dielectricpropertiesandelectricalproperties.Itcanbend,torsionandmove,alsohasahighassemblyreliability.Rigid-flexPCBisdevelopingwiththefuturetrendtowardsthedirectionoflight,thin,short,small,andhasabroadprospectsfordevelopment.Thekeymanufacturingtechnologyforflexibleareaofrigid-flexPCBwasresearchedincludingfinelinesproduceprocess,blackholeprocess,plasmacleaningprocessandpadsnickelplatingprocess.Theresultsareasfollows.Bycopperthinningprocess,thecopperfoilwasthinnedfrom12μmto3.5μm.Thenthedevelopingspeed,developingpressure,etchingspeedandetchingpressureoffourfactorswereoptimizedbyoptimizeexperimentaldesign.Accordingtorangeanalysis,linewidthuniformityanalysisandetchingfactoranalysis,theoptimumparametersforsemi-additiveprocesstoproduce30μmfinelinewasobtained:thespeedofdevelopingis3.2m/min,theaboveandbelowpressureofdevelopingisrespectively1.4kg/cm2and1.3kg/cm2.Thespeedofetchingis4.5m/mi