高性能ldo设计及辐射加固-design and radiation reinforcement of high performance ldo.docxVIP

摘要电源芯片的稳定性对功能电路的性能有很大影响。随着航天、航空和核能等应用的飞速发展，越来越多的电子系统需要工作在辐射环境中，时刻面临着辐射效应的威胁。暴露于辐射环境中的电源芯片在单粒子瞬变（SingleEventTransients,SETs）作用下，将产生输出电压跳变，长时间偏离正常供电电平的情况。随着工艺尺寸的缩减，电源电压下降，SET引起的电压跳变占总输出电压的比率越来越大，对负载电路的不利影响日趋严重。因此，SET效应带来的电源稳定性问题成为抗辐射加固薄弱环节，研究高性能供电模块及其加固技术成为集成电路工程中面临的紧迫任务之一。LDO（LowDropoutRegulators）是电源类芯片中十分常用的一种，以其输出稳定而被广泛使用在芯片供电领域。通过分析，典型的LDO环路参数受到其结构限制，不能达到高性能的要求。因此，需要设计新的LDO电路结构，并基于此进行SET加固，最终实现一款SET加固的高性能LDO。本文根据SET效应对电路的影响，设计了一种新颖的LDO电路。本文的研究内容包括：1、基于经典LDO结构，借鉴电荷泵锁相环的环路控制理论，设计了一款具有新型电路结构的LDO模型，并分析推导了模型的环路参数，为LDO电路设计提供参数指标；2、根据推导出的新型LDO模型的环路参数，实现LDO中各个模块的具体电路，并对各个模块进行SET响应分析；3、根据设计完成的各个电路模块，