第5篇 章 金属和半导体的接触 《半导体物理学简明教程》课件.ppt

第五章 金属和半导体的接触;金属－半导体接触;金属－半导体接触;第五章 金属和半导体的接触;5.1.1 金属和半导体的功函数;2 半导体的功函数;半导体的功函数与杂质浓度的关系;半导体的功函数与杂质浓度的关系;5.1.2 有功函数差的金－半接触 ;1、金属与n型半导体的接触 ;1、金属与n型半导体的接触;接触电势差与阻挡层;2) WM＜WS的情况;2、金属与p型半导体的接触;接触电势差 qVms=Wm – Ws 表面势Vs: 半导体表面与体内电势之差;3、肖特基(势垒)接触;既然q?m=Wm－?，那么: 同种半导体与两种不同金属相接触时，这两 种金属的功函数差就应该是电子在两种接触中的qφm之差; 同种金属与两种不同半导体相接触时，这两种半导体的功函数差就应该是电子在两种接触中的qφm之差。 ;1) 金属与半导体的接触势垒;表面态;qVD;b)、表面态改变了半导体的功函数;3) 表面态对接触势垒的影响;b)表面态密度很高时-势垒钉扎;因此,如果用表面态密度高的n型半导体与金属相接触，即便Wm＞Ws,由于EFS高于EFm，同样会有电子流向金属，但这些电子并不是来自半导体体内，而是由表面态提供。由于表面态密度很高，能放出足够多的电子，所以半导体势垒区的状态几乎不会发生变化。平衡时，金属的费米能级与半导体的费米能级达到同一水平，即也被钉扎在qφ0附近。 当半导体的表面态密度很高时，由于它可屏蔽金属接触的影响，以至于使得半导体近表面层的势垒高度和金属的功函数几乎无关，而基本上仅由半导体的表面性质所决定 .;表面态对金－半接触的影响 小结;本节内容小结;2、阻挡层的形成;3 表面态对金－半接触的影响;5.1.4 欧姆接触 ;第五章 金属和半导体的接触;5.2 金属?半导体接触的非平衡状态;5.2.1 不同偏置状态下的肖特基势垒;一、势垒高度;二、势垒区的宽度、电场和电容;三、通过势垒的电流密度;5.2.2 正偏肖特基势垒区中的费米能级 ;2 热电子发射理论;半导体中的电子数密度按速度的分布;从半导体中进入金属的电子数目;总的电流密度;从金属中进入半导体的电子数目;STM: Schematic of Technique;3 镜像力和隧道效应的影响;5.2.2 正偏肖特基势垒区中的费米能级 ;隧道效应.swf;4 肖特基势垒二极???;第七章 金属和半导体的接触;7.3 少数载流子的注入和欧姆接触;1 少数载流子的注入;2 欧姆接触