空孔团簇缺陷对半导体奈米线之热传与力学行为之影响.pdfVIP

行政院國家科學委員會專題研究計畫 成果報告 空孔團簇缺陷對半導體奈米線之熱傳與力學行為之影響 研究成果報告(精簡版) 計 畫 類 別 ： 個別型 計 畫 編 號 ： NSC 99-2221-E-020-015- 執 行 期 間 ：99年08月01日至 100年07月31日 執 行 單 位 ：國立屏東科技大學機械工程系 計 畫 主 持 人 ： 黃培興 計畫參與人員： 碩士班研究生-兼任助理人員：呂啟銘 碩士班研究生-兼任助理人員：吳宜芳 碩士班研究生-兼任助理人員：鐘益政 報 告 附 件 ： 出席國際會議研究心得報告及發表論文 處 理 方 式 ： 本計畫涉及專利或其他智慧財產權，2年後可公開查詢 中 華 民 國 100 年 10月 17 日 空孔團簇缺陷對半導體奈米線之熱傳與力學行為之影響 國立屏東科技大學機械工程學系 黃培興、呂啟明、吳宜芳、鐘益政 計畫編號： NSC 99-2221-E-020-015 一、中文摘要 本計畫運用分子動力學研究不同尺寸之空孔團簇缺陷對矽奈米線在各種不同之溫度 場、線截面形狀與截面積等條件下，對於奈米線之熱傳與力學行為之耦合效應。研究首先以 Tersoff 勢能探討矽奈米線受力學拉伸行為時，空孔團簇缺陷對奈米線之楊氏係數及降伏強度 等力學行為之影響；其次透過建立晶體模型、結構優化以及相對應的能量計算，以第一性原 理平面波贋勢法，研究表面拘限與空孔缺陷效應對矽奈米線之聲子傳輸、能隙及材料熱學性 質之影響。研究結果表明空孔團簇缺陷隨著線截面積減小與高溫所形成之耦合效應，將大幅 減小奈米線之降伏強度，而空孔團簇缺陷並未影響奈米線楊氏係數之變化，楊氏係數僅會隨 著溫度的上升以及線截面積之減小而減少，而矩形截面相較於圓形截面之奈米線顯示出具有 較高之楊氏模數，此外模擬結果也顯示，德拜 溫度會隨著空孔團簇尺寸的增加而有下降的趨 勢，當溫度小於 150 K以下的低溫時，空孔團簇缺陷對整體熱容量的影響甚小，隨著缺陷尺寸 的增大與溫度升高，奈米晶體在 ~1000 K時之熱容降低至 315 (cal/cell.K) 。 關鍵詞 : 空孔團簇缺陷、半導體奈米線、熱傳導、分子動力學 Abstract This project investigates the coupled effects of various vacancy culster (VC) defects, temperature, wire-shape, and wire cross-sectional area on the heat transfer and mechanical behavior of silicon (Si) nanowires (NWs) using molecular dynamics (MD) simulations. First, the influence of VC defects on the tensile stretching behavior of Si-NWs, including Young’s modulus, yield strength, and plastic deformations, were thoroughly studied by MD simulations with Tersoff potential model. The next, the effects of surface confinement and VC defects on the phonon transmission, band gap energy, and